Diodes 公司 推出全新系列的高電壓、高速閘極驅動(dòng)器，適用于轉換器、變頻器、馬達控制，以及 D 類(lèi)功率放大器等應用。上述裝置適用于最高 100V 的馬達驅動(dòng)應用，同時(shí)可支持以 200V 運作的功率轉換及反轉應用。這些功能使其非常適用于各種消費性與工業(yè)設計，包括電動(dòng)工具、機器人與無(wú)人機，以及小型電動(dòng)車(chē)。
DGD2003S8、DGD2005S8 及 DGD2012S8 為涵蓋半橋與高側/低側拓撲的 200V 閘極驅動(dòng)器，并采用標準低矮型 SO-8 封裝。這些裝置具有接面隔離位準偏移技術(shù)，可建立浮動(dòng)信道高側驅動(dòng)器，用于以最高 200V 運作的自舉式拓撲，并可驅動(dòng)使用半橋組態(tài)的兩個(gè) N 通道 MOSFET。 此系列中的所有裝置皆具備包含 Schmitt 觸發(fā)的標準 TTL/CMOS 邏輯輸入，最低能以 3.3V 運作，因此很容易將驅動(dòng)器連接至控制電路。其輸出的設計可承受負瞬態(tài)，并包含適用于高側與低側驅動(dòng)器的欠壓鎖定。 DGD2003S8 與 DGD2005S8 分別具有 290mA 與 600mA 的源極與汲極電流，DGD2012S8 則為 1.9A 與 2.3A，在其范圍內皆可維持功率效率。DGD2003S8 具有固定的 420ns 內部停滯時(shí)間，而 DGD2005S8 在高側與低側之間切換時(shí)，最大傳播時(shí)間為 30ns。 DGD2003S8、DGD2005S8 及 DGD2012S8 皆提供 SO-8 封裝，并可在 -40°C 至 +125°C 的寬廣溫度范圍中運作。 詳細信息請參閱 www.diodes.com |
