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來(lái)源：拓墣產(chǎn)業(yè)研究院 根據集邦咨詢(xún)旗下拓墣產(chǎn)業(yè)研究院報告指出，由于現行射頻前端器件制造商因手機通訊器件的功能需求，逐漸以GaAs晶圓作為器件的制造材料，加上隨著(zhù)5G建設逐步展開(kāi)，射頻器件使用量較4G時(shí)代倍增，預料將帶動(dòng)GaAs射頻器件市場(chǎng)于2020年起進(jìn)入新一波成長(cháng)期。 拓墣產(chǎn)業(yè)研究院指出，由于射頻前端器件特性，包含耐高電壓、耐高溫與高頻使用等，在4G與5G時(shí)代有高度需求，傳統如HBT和CMOS的Si器件已無(wú)法滿(mǎn)足，廠(chǎng)商便逐漸將目光轉移至GaAs化合物半導體。而GaAs化合物半導體憑借本身電子遷移率較Si器件快速，且具有抗干擾、低噪聲與耐高電壓等特性，因此特別適合應用于無(wú)線(xiàn)通訊中的高頻傳輸領(lǐng)域。 由于4G時(shí)代的手機通訊頻率使用范圍已進(jìn)展至1.8～2.7GHz，傳統3G的Si射頻前端器件已不夠使用，加上5G通市場(chǎng)正步入高速成長(cháng)期，其使用頻段也將更廣泛(包含3～5GHz、20～30GHz)，因此無(wú)論是4G或5G通訊應用，現行射頻器件都將逐漸被GaAs取代。 若以目前市場(chǎng)發(fā)展來(lái)看，2018年下半年受到手機銷(xiāo)量下滑、中美貿易戰影響，沖擊GaAs通訊器件IDM廠(chǎng)營(yíng)收表現，預估2019年IDM廠(chǎng)總營(yíng)收將下滑至58.35億美元，年減8.9%。 然而，隨著(zhù)5G通訊持續發(fā)展，射頻前端器件使用數量將明顯提升，如功率放大器(PA)使用量，由3G時(shí)代的2顆、4G的5-7顆，提升至5G時(shí)代的16顆，將帶動(dòng)2020年整體營(yíng)收成長(cháng)，預估GaAs射頻前端器件總營(yíng)收將達64.92億美元，年增11.3%。 整體而言，隨著(zhù)各國持續投入建設5G基站等基礎設施，預估在2021、2022年將達到高峰，加上射頻前端器件使用數量較4G時(shí)代翻倍，將可望帶動(dòng)IDM大廠(chǎng)Skyworks(思佳訊)、Qorvo(威訊)新一波營(yíng)收成長(cháng)動(dòng)能，而臺廠(chǎng)射頻代工制造業(yè)穩懋、宏捷科及環(huán)宇等，也將隨著(zhù)IDM廠(chǎng)擴產(chǎn)而取得訂單，逐漸擺脫營(yíng)收衰退的陰霾。 |
