具有低封裝電感的600V和650V MOSFET

發(fā)布時(shí)間:2019-7-12 13:03    發(fā)布者:ningxueqin
  VishayIntertechnology推出了3款采用小尺寸、表面貼裝PowerPAK®SO-8L封裝的N溝道器件,擴充其600V和650VE系列功率MOSFET。下面具體來(lái)了解一下。
  VISHAY600VSiHJ8N60E、650VSiHJ6N65E和SiHJ7N65EMOSFET更省空間,可替代TO-252(DPAK)封裝的MOSFET,具有低封裝電感。
  SiHJ8N60E、SiHJ6N65E和SiHJ7N65E的尺寸為5mmx6mm,占板空間和高度只有TO-252(DPAK)封裝器件的一半。而且,與無(wú)引線(xiàn)DFN封裝的MOSFET相比,碰到溫度循環(huán)情況時(shí),PowerPAKSO-8L封裝的鷗翼引線(xiàn)結構能有效提高板級的可靠性。
  SiHJ8N60E、SiHJ6N65E和SiHJ7N65E使用Vishay最新的高能效E系列超級結技術(shù)制造,導通電阻與柵極電荷乘積更低,該參數是評價(jià)功率轉換應用中MOSFET的優(yōu)值系數。
  在功率因數校正、反激、雙管正激轉換器,以及HID和LED照明應用的硬開(kāi)關(guān)拓撲中,這些參數意味著(zhù)MOSFET能實(shí)現極低的傳導和開(kāi)關(guān)損耗,有效節約能源。
  富昌電子[Future Electronics]是全球領(lǐng)先的電子元器件分銷(xiāo)商,提供全面的[射頻連接器]等產(chǎn)品線(xiàn),在業(yè)界享有盛名。作為一家全球整合的公司,富昌電子依托全球一體化信息平臺,使客戶(hù)能夠實(shí)時(shí)查詢(xún)庫存情況和供需動(dòng)態(tài)。富昌電子官網(wǎng)是富昌官方[08051C104KAT2A]在內的熱門(mén)料號,歡迎咨詢(xún)。
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