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Si24R2E是一顆工作在2.4GHzISM頻段,專(zhuān)為低功耗有源RFID應用場(chǎng)合設計,集成嵌入式發(fā)射基帶的無(wú)線(xiàn)發(fā)射芯片、128次可編程NVM存儲器以及自動(dòng)發(fā)射模塊。工作頻率范圍為2400MHz-2525MHz,共有126個(gè)1MHz帶寬的信道。
當打開(kāi)啟自動(dòng)發(fā)射功能,內部Watchdog與內部RCOSC工作時(shí),芯片睡眠狀態(tài)下待機電流僅為700nA。當內部Timer定時(shí)到時(shí),自動(dòng)發(fā)射控制器自動(dòng)完成數據從NVM的裝載與發(fā)射,數據發(fā)射完成后,芯片立即進(jìn)入睡眠狀態(tài),因此Si24R2E的平均功耗非常低,對于電池供電應用,可以非常容易實(shí)現五年以上的待機時(shí)間。
Si24R2E操作方式非常方便,可以不需要外部MCU,可以自動(dòng)完成數據裝載與發(fā)射。NVM存儲器可以存儲寄存器配置與發(fā)射的數據內容,掉電后不會(huì )丟失,數據可保持10年以上。在3.3V供電電壓下,無(wú)需外部高壓,外部MCU可以通過(guò)芯片的四線(xiàn)SPI接口完成NVM的配置編程,芯片最大可編程次數為128次,芯片支持NMV加鎖,防止NVM配置數據回讀,保證用戶(hù)數據安全。
Si24R2E也可以在外部MCU控制下工作,芯片不需要額外接口,外部微控制器(MCU)通過(guò)SPI接口對芯片少數幾個(gè)寄存器配置即可以實(shí)現數據的發(fā)射,芯片完全兼容Si24R1發(fā)射功能,在不打開(kāi)自動(dòng)發(fā)射功能時(shí),芯片功能與配置方法與Si24R2完全相同。
Si24R2E具有非常低的系統應用成本,可以不需要外部MCU,僅少量外圍無(wú)源器件即可以組成一個(gè)無(wú)線(xiàn)數據發(fā)射系統。內部集成高PSRR的LDO電源,保證1.9-3.6V寬電源范圍內穩定工作。 |
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