FPGA編程技術(shù)
目前，市場(chǎng)上有三種基本的FPGA編程技術(shù)：SRAM、反熔絲、Flash。其中，SRAM是迄今為止應用范圍最廣的架構，主要因為它速度快且具有可重編程能力，而反熔絲FPGA只具有一次可編程能力�；贔lash的FPGA是比較新的技術(shù)，也能提供可重編程功能。
基于SRAM的FPGA器件經(jīng)常帶來(lái)一些其他的成本，包括啟動(dòng)PROMS支持安全和保密應用的備用電池等�；贔lash和反熔絲的FPGA沒(méi)有這些隱含成本，因此可保證較低的總系統成本。
1.基于SRAM的FPGA
這類(lèi)產(chǎn)品是基于SRAM結構的可再配置型器件，通電時(shí)要將配置數據讀入片內SRAM中，配置完成就可進(jìn)入工作狀態(tài)。斷電后SRAM中的配置數據丟失，FPGA內部邏輯關(guān)機也隨之消失，這種基于SRAM的FPGA可反復使用。
2.反熔絲FPGA
采用反熔絲編程技術(shù)的FPGA內部具有反熔絲陣列開(kāi)關(guān)結構，其邏輯功能的定義由專(zhuān)用編程器根據設計實(shí)現所給出的數據文件，對其內部反熔絲真累進(jìn)行燒錄，從而使器件實(shí)現相應的邏輯功能。
這種器件的缺點(diǎn)是只能一次性編程，有點(diǎn)是具有高抗干擾性和低功耗，適合于要求高可靠性、高保密性的定型產(chǎn)品。
3.基于Flash的FPGA
在這類(lèi)FPGA器件中集成了SRAM和非易失性EEPROM兩類(lèi)存儲結構。其中SRAM用于在器件正常工作時(shí)對系統進(jìn)行控制，而EEPROM則用來(lái)裝載SRAM。由于這類(lèi)FPGA將EEPROM集成在基于SRAM工藝的現場(chǎng)可編輯器件中，因而可以充分發(fā)揮EEPROM的非易失性和SRAM的重配置性。
斷電后，配置信息保存在片內的EEPROM重，因此不需要片外的配置芯片，有助于降低系統成本、提高設計的安全性。 |
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