CS5250E兼容CS5230E設計電路圖

發(fā)布時(shí)間:2020-5-9 11:28    發(fā)布者:soundbaraudio
關(guān)鍵詞: CS5250 , CS5250E , CS5260 , CS5260E , CS5230
CS5250E是一款采用CMOS工藝,電容式升壓型GF類(lèi)單聲道音頻功放,可以為4Ω的負載提供最高5.3W的連續功率;CS5250E芯片內部固定的28倍增益,
提供樣品 測試板 設計指南 151 1247 6010 莫先生,qq 238 396 0712 。
有效的減少了外圍元器件 的數量;功放集成了D類(lèi)和AB類(lèi)兩種工作模式即可保證D類(lèi)模式下強勁的功率輸出,又可兼顧系統在有FM的情況下,消除功放對系統的干擾;CS5250E具有獨特的防破音(NCN)功 能,可根據輸出信號的大小自動(dòng)調整功放的增益,實(shí)現更加舒適的聽(tīng)覺(jué)感受. CS5250E的外圍只有低成本的阻容器件,在以鋰電池供電的移動(dòng)式音頻設備中,CS5250E是理想的音頻子系統的功放解決方案.CS5250E的全差分架構和極高的PSRR有效地提高了CS5250ERF噪聲的抑制能力。另外CS5250E內置了過(guò)流保護和過(guò)熱保護,有效的保護芯片在 異常的工作條件下不被損壞。
CS5250E提供了ESOP10的封裝類(lèi)型,其額定的工作溫度范圍為-40℃至85℃。
特征
集成Charge Pump升壓模塊,集成AB類(lèi)D類(lèi)兩種工作模式GF類(lèi)音頻功放,
輸出功率
Po at  VBAT = 5.0V,  RL=4Ω,Cout=470uF
THD+N=10%   5.3W(NCN OFF@D MODE)
THD+N=1%  4.3W(NCN OFF@D MODE)
Po at  VBAT = 3.4V,  RL=4Ω+33uH,Cout=470uF
THD+N=10%   3.4W(NCN OFF@D MODE)
THD+N=1%  3.0W(NCN OFF@D MODE)
Po at  VBAT = 5.0V,  RL=4Ω,Cout=100uF
THD+N=10%   4.9W(NCN OFF@D MODE)
THD+N=1%  3.9W(NCN OFF@D MODE)
Po at  VBAT = 3.6V,  RL=4Ω+33uH,Cout=100uF
THD+N=10%   3.1W(NCN OFF@D MODE)
THD+N=1%  2.7W(NCN OFF@D MODE)
輸入電壓范圍:2.7~5.5V
關(guān)斷電流: <1μA
待機電流: 20mA@5V
D類(lèi)調制頻率: 350KHz
防破音模式開(kāi)關(guān)
AERC專(zhuān)利技術(shù),提供優(yōu)異的全帶寬EMI抑制能力
優(yōu)異的"噼噗-咔嗒"(pop-noise)雜音抑制能力
高的電源抑制比(PSRR):在217Hz下為-80dB
過(guò)溫保護
過(guò)壓保護
應用
藍牙音箱、便攜式音頻設備
管腳排列以及定義
CS83785E_CS83711E_智浦欣15112476010莫先生技術(shù)布線(xiàn)樣品支持DEMO_V2.0_K02.pcb (749.13 KB) CS8618_ch_v1.2智浦欣qq2383960712莫先生.pdf (4.09 MB)

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