|
據美通社，臺媒稱(chēng)，臺積電2nm制程研發(fā)獲重大突破。區別于3nm與5nm采用鰭式場(chǎng)效晶體管（FinFET）架構，臺積電2nm改采用全新的多橋通道場(chǎng)效晶體管（MBCFET）架構，此種架構能解決FinFET因制程微縮產(chǎn)生電流控制漏電的物理極限問(wèn)題，研發(fā)進(jìn)度超前。 以臺積電2nm目前的研發(fā)進(jìn)度研判，供應鏈預計臺積電2023年下半年可望進(jìn)入風(fēng)險性試產(chǎn)，2024年正式量產(chǎn)。有助于其未來(lái)持續拿下蘋(píng)果、輝達等大廠(chǎng)先進(jìn)制程大單。 |
