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Dialog半導體公司和格芯 (GLOBALFOUNDRIES) 今天聯(lián)合宣布，已就Dialog向格芯授權導電橋接RAM（CBRAM）技術(shù)達成協(xié)議。該基于電阻式RAM（ReRAM）的技術(shù)由Dialog半導體公司于2020年收購的Adesto Technologies首創(chuàng )。格芯首先將在其22FDX平臺上以嵌入式非易失性存儲器（NVM）選項提供Dialog的CBRAM，后續計劃將該技術(shù)拓展到其他平臺。 Dialog獨有的且經(jīng)過(guò)生產(chǎn)驗證的CBRAM技術(shù)是一項低功耗的NVM解決方案，專(zhuān)為物聯(lián)網(wǎng)（IoT）、5G連接、人工智能（AI）等一系列應用而設計。低功耗、高讀/寫(xiě)速度、更低的制造成本、對惡劣環(huán)境的耐受能力使CBRAM特別適合消費、醫療、和特定的工業(yè)及汽車(chē)等應用。此外，CBRAM技術(shù)為這些市場(chǎng)中的產(chǎn)品所需的先進(jìn)技術(shù)節點(diǎn)提供了具成本效益的嵌入式NVM。 Dialog半導體公司企業(yè)發(fā)展高級副總裁兼工業(yè)混合信號業(yè)務(wù)部總經(jīng)理Mark Tyndall表示：“CBRAM是Adesto杰出的標志性存儲技術(shù)之一，該技術(shù)加入到Dialog產(chǎn)品組合中具有重要的戰略意義。此次與格芯的授權合作恰好證明了Dialog和Adesto融合后開(kāi)展業(yè)務(wù)的速度。展望未來(lái)，我對我們和格芯牢固的合作關(guān)系非常有信心。此次授權協(xié)議不僅為行業(yè)提供了最先進(jìn)的技術(shù)，也為Dialog在下一代系統級芯片（SoC）中采用先進(jìn)CBRAM技術(shù)提供了機遇�！� 格芯高級副總裁兼汽車(chē)、工業(yè)和多市場(chǎng)業(yè)務(wù)部總經(jīng)理Mike Hogan表示：“我們與Dialog的合作彰顯了格芯在為客戶(hù)進(jìn)一步提供差異化優(yōu)勢和增值的領(lǐng)域加大投資的承諾。Dialog的ReRAM技術(shù)是對我們領(lǐng)先的eNVM解決方案系列非常好的補充。該存儲器解決方案結合我們的FDX平臺，將幫助我們客戶(hù)進(jìn)一步突破技術(shù)邊界，提供新一代安全的IoT和邊緣AI應用�！� Dialog的CBRAM技術(shù)克服了ReRAM常見(jiàn)的集成和可靠性挑戰，提供了可靠且低成本的嵌入式存儲器，同時(shí)保留了ReRAM的低電壓運行能力。這意味著(zhù)可以實(shí)現比標準嵌入式閃存更低功耗的讀寫(xiě)操作。 CBRAM將于2022年在22FDX平臺上以嵌入式NVM選項供格芯的客戶(hù)使用。通過(guò)IP定制，客戶(hù)可以修改CBRAM單元以?xún)?yōu)化其SoC設計，提升安全性，或對單元進(jìn)行調整以適合新的應用。此外，CBRAM作為一種“后道工序”技術(shù)，可以相對容易地集成到其他技術(shù)節點(diǎn)中。 了解更多有關(guān)Dialog CBRAM技術(shù)，敬請瀏覽網(wǎng)頁(yè)：https://www.dialog-semiconductor ... ry/cbram-technology 了解更多有關(guān)格芯22FDX平臺，敬請瀏覽網(wǎng)頁(yè)：https://www.globalfoundries.com/ ... ions/cmos/fdx/22fdx |
