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采用低外形PowerPAK® MLP 6x6封裝的集成解決方案包含了高邊和低邊功率MOSFET、驅動(dòng)IC和自舉二極管 賓夕法尼亞、MALVERN —2011年5月10日—日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出具有為PWM優(yōu)化的高邊和低邊N溝道MOSFET、全功能MOSFET驅動(dòng)IC、自舉二極管的集成DrMOS解決方案---SiC779CD。 器件的工作頻率超過(guò)1MHz，效率大于93%。所有這些都集成在低外形、熱增強型PowerPAK® MLP 6x6的40腳封裝里。新的SiC779CD完全符合針對服務(wù)器和桌面電腦、圖形卡、工作站、游戲機和其他采用CPU的高功率系統中電壓調節器的DrMOS 4.0標準。 SiC779CD的先進(jìn)柵極驅動(dòng)IC可接收來(lái)自VR控制器的一個(gè)PWM輸入，并把輸入轉換成高邊和低邊MOSFET的柵極驅動(dòng)信號。器件的5V PWM輸入兼容所有控制器，經(jīng)過(guò)特殊設計，可支持具有三態(tài)PWM輸出函數的控制器。 調節器可使用3V～16V的輸入電壓進(jìn)行工作，最高可輸出40A的連續電流。集成的功率MOSFET為0.8V～2.0V的輸出電壓進(jìn)行了優(yōu)化，標稱(chēng)輸入電壓為12V。SiC779CD在5V輸出下可為ASIC應用提供非常高的功率。 器件的驅動(dòng)IC具有能自動(dòng)偵測輕負載情況的電路，能自動(dòng)開(kāi)啟系統中為在輕負載條件下實(shí)現高效率而設計的跳頻模式工作(SMOD)。主動(dòng)式失效時(shí)間控制有助于進(jìn)一步提高在所有負載點(diǎn)上的效率。保護功能包括UVLO、擊穿保護，在結溫過(guò)高時(shí)，熱告警功能可對系統發(fā)出報警信號。 在SiC779CD里集成的驅動(dòng)IC和功率MOSFET能夠減少功率損耗，減小與高頻分立功率級相關(guān)的寄生阻抗。設計者可以為高頻開(kāi)關(guān)進(jìn)行優(yōu)化，改善瞬態(tài)響應，節約輸出濾波器元件的成本，在多相Vcore應用中實(shí)現盡可能高的功率密度。 器件符合IEC 61249-2-21的無(wú)鹵素規定，符合RoHS指令2002/95/EC。 SiC779CD現可提供樣品，將在2011年6月實(shí)現量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十周。 
VISHAY簡(jiǎn)介 Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財富1,000 強企業(yè)”，是全球分立半導體（二極管、MOSFET和紅外光電器件）和無(wú)源電子元件（電阻器、電感器、電容器）的最大制造商之一。這些元器件可用于工業(yè)、計算、汽車(chē)、消費、電信、軍事、航空航天、電源及醫療市場(chǎng)中幾乎所有類(lèi)型的電子設備和裝備。憑借產(chǎn)品創(chuàng )新、成功的收購戰略，以及“一站式”服務(wù)使Vishay成為了全球業(yè)界領(lǐng)先者。有關(guān)Vishay的詳細信息，敬請瀏覽網(wǎng)站 www.vishay.com。 |
