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高效率、大電流處理能力和小外形尺寸是電源設計人員選擇用于電壓調節器解決方案的元件的至關(guān)重要的因素，為了滿(mǎn)足這一需求，全球領(lǐng)先的高性能功率和便攜產(chǎn)品供應商飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)開(kāi)發(fā)出一系列Generation II XS DrMOS (集成式驅動(dòng)器 + MOSFET) 器件，這些器件能夠提供高效率和高功率密度，可讓設計人員滿(mǎn)足不同應用的特定設計需求。 Generation II XS DrMOS器件采用小型6mm x 6mm高性能clip PQFN封裝，具有較高的系統效率，在12Vin、1Vout和25A條件下重負載效率高于91.5%，峰值效率則超過(guò)94%。Generation II XS DrMOS器件可在2MHz開(kāi)關(guān)頻率下運作，并具有最高50A的電流處理能力。 飛兆半導體利用其在的MOSFET、柵極驅動(dòng)器IC和封裝技術(shù)方面的技術(shù)專(zhuān)長(cháng)，對Generation II XS DrMOS器件進(jìn)行優(yōu)化，實(shí)現更高的效率并開(kāi)發(fā)新的功能。這些技術(shù)提升使得Generation II XS DrMOS系列器件成為刀片服務(wù)器、高性能游戲主板、高性能筆記本電腦、顯卡，以及大電流DC-DC負載點(diǎn)(point-of-load)轉換器等應用的理想選擇。 Generation II XS DrMOS系列器件提供5V和3.3V三態(tài)電平以匹配Intel® 4.0 DrMOS規范，并可兼容市場(chǎng)上的多種PWM控制器。這些器件能夠顯著(zhù)減少在控制FET和同步FET中使用PowerTrench® MOSFET屏蔽柵極技術(shù)而產(chǎn)生的振鈴噪聲。同步FET還集成了一個(gè)肖特基二極管，免除外部緩沖器電路，提高總體性能和功率密度，同時(shí)減少占用空間和成本。Generation II XS DrMOS器件還可以為客戶(hù)加入一項過(guò)熱報警功能，可在故障期間防止出現過(guò)熱狀況。 Generation II XS DrMOS產(chǎn)品系列能夠滿(mǎn)足不同客戶(hù)和應用需求。
飛兆半導體Generation II XS DrMOS系列器件提供業(yè)界領(lǐng)先技術(shù)，以應對現今電子設計所遇到的能效和外形尺寸挑戰。這些器件是飛兆半導體高能效的功率模擬、功率分立和光電子解決方案的一部分，能夠在功率敏感應用中實(shí)現最大節能。 
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