|
臺積電日前已經(jīng)宣布順利在其開(kāi)放創(chuàng )新平臺建構完成其28nm制程設計生態(tài)環(huán)境，不過(guò)更令我們感興趣的是他們同時(shí)還宣布將在即將于加州召開(kāi)的設計自動(dòng)化會(huì )議（Design Automation Conference (DAC) ）上，首度對外展示其20nm節點(diǎn)制程將采用的“透明式雙重成像”（Transparent Double Patterning）技術(shù)。該技術(shù)將是臺積電20nm節點(diǎn)制程技術(shù)的重要組成部分。 臺積電表示，自20nm節點(diǎn)起，金屬線(xiàn)層的節距尺寸將超過(guò)現有光刻方案的分辨率極限，因此必須啟用雙重成像技術(shù)。 按臺積電的說(shuō)法，其透明式雙重成像技術(shù)可以在無(wú)需對現有系統/芯片設計方法進(jìn)行變動(dòng)的條件下將產(chǎn)品遷移到20nm節點(diǎn)。目前臺積電已經(jīng)在與EDA軟件廠(chǎng)商探討如何將透明式雙重成像技術(shù)內嵌到EDA廠(chǎng)商的商用設計軟件中去。 回想2009年初，臺積電曾表示其啟動(dòng)20nm制程節點(diǎn)時(shí)EUV/電子束光刻等次世代光刻技術(shù)可能尚未成熟，因此屆時(shí)他們計劃啟用193nm液浸式光刻機+雙重成像技術(shù)。當時(shí)臺積電負責光刻技術(shù)的高管林本堅曾表示，他更傾向于使用僅需進(jìn)行單次蝕刻的LLE(Litho-Litho-Etch)型雙重成像技術(shù)，而非目常見(jiàn)的LELE（Litho-Etch-Litho-Etch）/SADP型雙重成像技術(shù)。 LLE技術(shù)使用成分不同的雙層光阻膠，采用兩次曝光+單次蝕刻的方法來(lái)實(shí)現雙重成像；相比之下LELE技術(shù)則采用硬掩模層隔開(kāi)兩層成分相同的光阻膠，采用兩次曝光+兩次蝕刻（分別蝕刻兩層光阻膠及硬掩模）的方法來(lái)實(shí)現雙重成像。 LLE技術(shù)的優(yōu)勢之一是成本方面可能比LELE方案更加優(yōu)越，不過(guò)09年時(shí)LLE技術(shù)還并不成熟。目前我們還不清楚臺積電這次將展示的透明式雙重成像技術(shù)是否就是基于LLE技術(shù)，答案恐怕只有在DAC會(huì )議召開(kāi)時(shí)才能揭曉了。 另外，臺積電現在宣布20nm節點(diǎn)制程采用193nm液浸式光刻+雙重成像技術(shù)，那么這是否意味著(zhù)他們在20nm節點(diǎn)不會(huì )啟用EUV呢，恐怕未必？如果細心閱讀上面的報道，你會(huì )發(fā)現臺積電所說(shuō)的透明式雙重成像技術(shù)是為了提升“金屬線(xiàn)節距”的分辨率而開(kāi)發(fā)的，那么屆時(shí)比金屬線(xiàn)層更加關(guān)鍵的多晶硅層會(huì )采用什么光刻技術(shù)？ 況且，我們都知道臺積電計劃在14nm節點(diǎn)轉向Finfet架構晶體管，而且臺積電曾經(jīng)表示過(guò)193nm液浸式光刻技術(shù)將在15nm節點(diǎn)左右遭遇極限，那么如果20nm節點(diǎn)還不使用EUV等次世代光刻技術(shù)，難道他們準備在14nm制程節點(diǎn)同時(shí)啟用Finfet和EUV兩項重要技術(shù)？一般認為在某一制程節點(diǎn)同時(shí)啟用兩種重大技術(shù)的風(fēng)險是非常大的。 |
