Ramtron宣布，現在已經(jīng)可廣泛提供在新IBM公司生產(chǎn)線(xiàn)上制造的首批預驗證鐵電存儲器(F-RAM)樣片。FM24C04C和FM24C16C是位密度分別為4kbit和16kbit的串行5V F-RAM產(chǎn)品，這些器件可為電子系統提供高性能非易失性數據采集和儲存解決方案。Ramtron的F-RAM產(chǎn)品具有非易失性RAM存儲性能、無(wú)延遲(NoDelay™)寫(xiě)入、高讀/寫(xiě)耐用性及低功耗特性。
FM24C04C和FM24C16C采用串行I2C接口，工作電流為100µA(100kHz下典型值)，總線(xiàn)運行頻率最高可達1MHz。這些器件適用于工業(yè)控制、計量、醫療、軍事、游戲和計算應用及其它領(lǐng)域，可作為4和16Kb串行EEPROM存儲器的直接替代產(chǎn)品。FM24C04C和FM24C16C均采用工業(yè)標準8腳SOIC封裝，工作溫度范圍是工業(yè)級的-40°C至+85°C。 Ramtron公司FM24CxxC產(chǎn)品的單字節寫(xiě)入速度比EEPROM快200倍。此外，相比記錄新數據之前需要5至10毫秒寫(xiě)入延遲的EEPROM器件，這些器件具有無(wú)延遲特性，能夠以標準總線(xiàn)速度寫(xiě)入。FM24C04C和FM24C16C具有1萬(wàn)億個(gè)寫(xiě)入周期，而EEPROM只有100萬(wàn)個(gè)寫(xiě)入周期。相比同類(lèi)非易失性存儲器產(chǎn)品，它們具有極低的工作電流。 2009年年初Ramtron和IBM達成代工服務(wù)協(xié)議，IBM在其位于美國佛蒙特（Vermont）州Burlington的先進(jìn)晶圓生產(chǎn)設施中部署Ramtron的F-RAM半導體工藝技術(shù)。Ramtron的專(zhuān)有F-RAM技術(shù)堆棧已經(jīng)整合到IBM的 0.18微米CMOS工藝中，用于生產(chǎn)Ramtron的標志性高性能非易失性F-RAM產(chǎn)品。IBM擁有世界級代工服務(wù)，為Ramtron現有產(chǎn)品及新產(chǎn)品開(kāi)發(fā)計劃提供了具有成本效益的靈活制造平臺。 Ramtron是在半導體產(chǎn)品中采用鐵電材料的先驅企業(yè)，開(kāi)發(fā)了新類(lèi)型非易失性存儲器，稱(chēng)作鐵電隨機存取存儲器即F-RAM。Ramtron的鐵電存儲器結合了動(dòng)態(tài)隨機存取存儲器 (DRAM) 的高速度和非易失性數據儲存特性，即無(wú)電存儲數據的能力。自從這項技術(shù)商業(yè)化以來(lái)，Ramtron已經(jīng)在嚴苛的應用領(lǐng)域銷(xiāo)售了數億個(gè)F-RAM器件，包括汽車(chē)安全和娛樂(lè )系統、便攜式醫療設備、工業(yè)過(guò)程控制系統、智能電表和消費打印機墨盒。F-RAM技術(shù)是市場(chǎng)上功效最高的非易失性存儲器技術(shù)，有望為超高效電池供電產(chǎn)品和能量收集應用的開(kāi)發(fā)鋪平道路。要了解更多的信息，請訪(fǎng)問(wèn)公司網(wǎng)站www.ramtron.com。 |
