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美高森美公司(Microsemi )日前發(fā)布用于開(kāi)發(fā)下一代高電壓大功率系統的設計指南，這些系統以公司獨有的數字射頻(digital radio frequency, DRF)系列混合模塊為基礎，廣泛應用于半導體加工、LCD玻璃涂層、太陽(yáng)能電池生產(chǎn)、光學(xué)器件及建筑玻璃涂層、有害氣體處理、CO2激光激發(fā)、MRI RF放大器、RF手術(shù)刀和感應加熱等系統中。 這些模塊將RF驅動(dòng)IC和功率MOSFET集成在單一高性能封裝中，能夠以高達40 MHz的頻率發(fā)送1 ~ 3kW功率。設計指南還為系統開(kāi)發(fā)人員提供了包括元器件選擇、匹配網(wǎng)絡(luò )設計、優(yōu)化輸出功率、效率最大化、散熱設計等各種RF設計技巧，并針對構建完整的RF發(fā)生器所需的電路拓撲提供具體建議。 美高森美MOSRF產(chǎn)品部營(yíng)銷(xiāo)總監Glenn Wright表示：“我們的DRF系列產(chǎn)品同傳統的低壓RF系統相比具有更加突出的技術(shù)優(yōu)勢。這些優(yōu)勢體現在能夠解決復雜的設計難題，減小系統體積、提高功率密度和可靠性，并降低總體系統成本，適合各種工業(yè)、科學(xué)和醫學(xué)方面的應用�！� 美高森美DRF產(chǎn)品系列將最多兩個(gè)RF驅動(dòng)器IC、兩個(gè)功率MOSFET及相關(guān)的退耦電容集成在單一封裝中。驅動(dòng)器IC和MOSFET緊密接近，極大的降低了電路電感，同時(shí)可提供比分立元件解決方案更高的系統性能，以及實(shí)現多種電路配置和系統拓撲。該模塊專(zhuān)為提供連續的功率、 Class D和E與脈沖功率應用而設計，僅需5V邏輯電平輸入信號，即可發(fā)射高達3kW的RF功率。新模塊采用美高森美獨特的無(wú)法蘭封裝技術(shù)，成本比傳統替代解決方案更低，而且進(jìn)一步改善系統性能。 美高森美現提供DRF產(chǎn)品系列的設計指南和其它開(kāi)發(fā)工具和技術(shù)支持服務(wù)，包括SPICE模型，參考設計工具套件和應用說(shuō)明。 |
