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2011年7月11日，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，將參加2011年7月20至22日在Tokyo Big Sight舉行的Power System Japan展覽會(huì )，展示其最新的技術(shù)方案。該展會(huì )是Techno-Frontier 2011（2011日本電子、機械零配件及材料博覽會(huì )）在電源系統方面的專(zhuān)業(yè)展覽。Vishay展位號3T-211，Vishay的大批業(yè)內領(lǐng)先的半導體和無(wú)源電子元件將集中亮相。觀(guān)眾可了解Vishay的領(lǐng)先解決方案如何幫助設計者在各種各樣的應用中滿(mǎn)足其對節省空間和提高效率的特定需求。 Vishay在Techno-Frontier 2011上展示的產(chǎn)品線(xiàn)如下。 電阻：Vishay將重點(diǎn)展示采用霍爾效應技術(shù)的新型無(wú)觸點(diǎn)傳感器，這種傳感器在20G的高頻振動(dòng)和50G的沖擊情況下依然具有高性能。除用于功率計和電池管理應用的大電流Power Metal Strip®分流電阻外，包括專(zhuān)業(yè)汽車(chē)薄膜芯片電阻在內的獨創(chuàng )SMD電阻方案將同臺展出。 電感器：針對各種終端產(chǎn)品中的電壓調節模塊（VRM）和DC-DC轉換器應用，Vishay將展示業(yè)內最小的和最大的SMD復合電感器，以及業(yè)內最薄的大電流電感器。 電容器：Vishay ESTA功率電容器將出現在展臺上，同時(shí)展出的還有DC-link聚丙烯薄膜電容器，及針對極為重要的醫療和軍工/航天應用提供威布爾失效率分級等篩選選項的高可靠性MicroTan®鉭電容器。 二極管：Vishay將展出一系列為太陽(yáng)能電池旁路保護、照明應用、桌面電源和更多其他應用而優(yōu)化的新款二極管。展示的重點(diǎn)包括45 V TMBS®系列整流器，采用功率封裝的200V和600V FRED Pt®極快和超快整流器，小尺寸、SMD標準的快速和超快雪崩整流器，采用D-PAK封裝的200V和600V FRED Pt極快和超快整流器，以及低正向壓降的橋式整流器。 MOSFET：Vishay節省空間的PowerPAIR®解決方案將出現在展臺上，該產(chǎn)品集成了多個(gè)最優(yōu)的低壓MOSFET，可取代傳統的分立式解決方案。其他產(chǎn)品還有采用PowerPAK® SO-8封裝、具有低導通電阻的下一代40V～100V MOSFET，以及采用兼具超低導通電阻和對雪崩性能進(jìn)行100%測試的Super Junction技術(shù)的高壓MOSFET。 功率IC：Vishay的高精度模擬復用器系列將被展出，此外還有節省空間、提高效率的集成同步降壓穩壓器和DrMOS集成功率級。 光電子：重點(diǎn)展示的產(chǎn)品包括IGBT和MOSFET驅動(dòng)，此外還有業(yè)界首款在一個(gè)小尺寸3.95mm x 3.95mm x 0.75mm的無(wú)引線(xiàn)、表面貼裝封裝內集成紅外發(fā)射器、PIN光敏二極管、環(huán)境光探測器、信號處理IC和16位ADC的接近和環(huán)境光光學(xué)傳感器。 |
