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1993年日本日亞化學(xué)公司在藍色GaN LED技術(shù)上突破并很快產(chǎn)業(yè)化，于1996年實(shí)現白光LED，并申請多項專(zhuān)利保護。 1 重要意義：用途廣，特別是用作新光源——第四代照明光源，未來(lái)將產(chǎn)生巨大節能效果。 白光LED及組合成光源具有許多優(yōu)點(diǎn)：固體化，體積小、壽命長(cháng)(萬(wàn)小時(shí))、抗震，不易破損，啟動(dòng)響應時(shí)間快(納秒)耗電量小，無(wú)公害(無(wú)汞)等。各國政府和公司賦予極大熱忱和高度重視，這是因為白光LED有龐大照明市場(chǎng)和顯著(zhù)節能效果的前景。為此，美國、日本、歐洲注入大量人力和財力，設立專(zhuān)門(mén)的機構和計劃推動(dòng)白光lED研發(fā)。2001年7月美國第一項主張“新一代照明首創(chuàng )”(NGLl)提供基金的立法議案，作為參議院能源法案S1766，Sec.1213的一部分提交給國會(huì )審議。日本政府也制定“21世紀化合物半導體”。 世界著(zhù)名的照明公司和半導體材料器件公司紛紛合作，重組集團，發(fā)展白光IED。 2 實(shí)現白光LED原理和方案 簡(jiǎn)單地講有三種原理可實(shí)現白光LED： (1)藍色LED芯片和可被藍光有效激發(fā)的發(fā)黃光熒光粉有機結合組成白光LED。一部分藍光被熒光粉吸收，激發(fā)熒光粉發(fā)射黃光。發(fā)射的黃光和剩余的藍光混合，調控它們的強度比即可得到各種色溫的白光； (2)將紅、綠、藍三基色LED組成一個(gè)象素(pixel)也可得到白光； (3)像三基色節能燈那樣，發(fā)紫外光LED芯片和可被紫外光有效激發(fā)而發(fā)射紅、綠、藍三基色熒光體有機結合組成白光LED。 英光體的選用可以是高效的無(wú)機或有機熒光體或兩者結合。當前是以由藍色InGaN LED芯片和可被藍光有效激發(fā)的發(fā)黃光的鈰激活的稀土石榴石熒光粉有機結合實(shí)現發(fā)白光LED，這是目前的主導方案，在國內外已產(chǎn)業(yè)化。圖3表示當前典型的白光LED的發(fā)射光譜，它是由InGaN芯片發(fā)藍光光譜及YAG：Ce體系熒光體發(fā)黃光光譜所組成。 3 白光LED的光效和光電 從理論和技術(shù)發(fā)展分析，白光LED的光效可以達到2001m／w以上，白光LED短短5年中光效提高6倍，圖表表示白光LEO從1998-2002年光效提高和預期發(fā)展。 目前人們將白光LED劃分為2005年和2010年兩個(gè)階段目標。2005年后開(kāi)始替代白熾燈，進(jìn)入商業(yè)照明；2010年進(jìn)入家庭照明。達到預定目標白光LED有兩個(gè)問(wèn)題必須克服。 成本價(jià)格必須降到US$0.01/lm 必須提高光效和光通。 答案是肯定的。人們正對藍色、紫外LED芯片，LED封裝(包括熒光粉涂敷工藝)及熒光粉進(jìn)行改進(jìn)。對芯片來(lái)說(shuō)： (1)發(fā)展大尺寸芯片，例如最近Cree公司推出0.15W的藍光的900900um大尺寸芯片； (2)制造大功率芯片，芯片為5W的已推向市場(chǎng)，這比2000年戰略研討會(huì )的預計大大提前。 (3)芯片倒置新技術(shù)使外量子效率提高。 (4)積極研制波長(cháng)更短的紫外LED，這樣，比目前使用的YAG：Ce熒光粉效率高許多的三基色熒光粉很多，使白光LED達到新水平。最近美國南加洲大學(xué)采用四元AlInGaN多層量子阱(MQW)技術(shù)研制出發(fā)射峰可從305nm到340nm的紫外LED。這是目前最短的UVLED。圖3表示這種UVLED芯片結構。對20μm×1000μm這種條狀器件而言，發(fā)射峰為340nm時(shí)的輸出功率高達1mw。 若實(shí)現第一個(gè)目標，2005-2007年開(kāi)始部分取代白熾燈，對美國來(lái)說(shuō)，可節約10GW電能；實(shí)現第2個(gè)目標進(jìn)入家庭照明，在2010-2015年白光LED的光效達到150-200lm／w，美國可節能約25GW電能。當然，我們必須看到，實(shí)現1001m／w普及照明，還存在相當大的困難。對我國采說(shuō)，遇著(zhù)難得的機遇，政府積極支持，列入 新綠色照明和節能規劃中。但又面臨相當大的挑戰和知識產(chǎn)權的壁壘。迄今高效藍色和藍紫色LED芯片還不能工業(yè)化規模生產(chǎn)，但我國稀土熒光粉有其優(yōu)勢。 |
