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臺灣新竹，常憶科技于2011年7月29日正式宣布推出全球第一顆256Kbit序列閃存產(chǎn)品─PM25LD256C。市場(chǎng)上既有的序列閃存廠(chǎng)商之技術(shù), 由于在小容量產(chǎn)品上已無(wú)法有效降低die size及成本, 因此序列閃存產(chǎn)品在業(yè)界之最小容量一般只做到512Kbit, 惟常憶科技以pFlash的專(zhuān)利設計才能有效降低512Kbit以下容量的Flash die size, 故決定推出該項業(yè)界獨有之產(chǎn)品。 常憶科技256Kbit序列閃存產(chǎn)品的主要應用市場(chǎng),是在需要極小容量程序代碼或數據存儲的運用方面,如NB/PC cam、游戲機、服務(wù)器、數字機上盒、數字電視等等原本使用EEPROM 32Kbit ~ 256Kbit之應用。在不增加現有接腳數, 且能提供極佳讀寫(xiě)速度, 擦寫(xiě)次數, 低耗電量及長(cháng)期數據保存年限, 并幫助系統廠(chǎng)商降低原本較昂貴的EEPROM成本最高可達60%, 常憶科技256Kbit序列閃存產(chǎn)品是最合適的選擇。 藉由PMOS band-to-band-tunnel(BTBT)專(zhuān)利的制程結構，0.18um pFlash 在-40度C至105度C可確保在經(jīng)過(guò)20萬(wàn)次擦寫(xiě)后仍可保存資料長(cháng)達20年。相較同業(yè)普遍使用的其它技術(shù)，die size面積約可縮小百分之40，并降低使用功率以及靜態(tài)電流, 故常憶科技之序列閃存在過(guò)去十年持續提高出貨量及市占率, 質(zhì)量表現在2010全年累計為0.4ppm, 更為閃存創(chuàng )下業(yè)界品質(zhì)之標竿。 常憶科技已于今年四月推出PM25LD256C樣品后，于七月正式量產(chǎn)。相關(guān)產(chǎn)品說(shuō)明請至常憶科技網(wǎng)站查詢(xún)。 以下為PM25LD256C產(chǎn)品之主要功能說(shuō)明: 功能 容量: 256Kbit; 符合Serial Peripheral Interface基本協(xié)議架構 抹除單位: 4K-byte or 32K-byte 寫(xiě)入單位: 256-byte per page 工作電壓范圍 : 2.7-3.6V 符合工業(yè)級溫度范圍 -40 ~ 105’C 性能表現讀取性能表現: Max 100MHz for fast read 寫(xiě)入性能表現(時(shí)間): Typical 2ms per page program 抹除性能表現(時(shí)間): Sector/Block/Chip Max 7ms 耗電表現: Typical 1mA active read current, Typical 10mA program/erase current 擦寫(xiě)次數: Min 200,000 cycles 資料保存年限: Min 20 years 封裝 業(yè)界標準之 8 pin SOIC, TSSOP, USON, KGD 符合RoHS的無(wú)鉛封裝 關(guān)于常憶科技：常憶科技，成立于1995年，為擁有P-channel閃存技術(shù)的先鋒并擁有超過(guò)六十個(gè)設計、組件及技術(shù)專(zhuān)利的專(zhuān)業(yè)IC設計廠(chǎng)商。常憶科技以pFlash為商標，設計并銷(xiāo)售NOR flash產(chǎn)品以應用于個(gè)人計算機、電子消費、網(wǎng)絡(luò )及無(wú)線(xiàn)通訊相關(guān)組件，并為低容量NOR flash主要供貨商之一。常憶科技也以pFusion為商標，使用其PMOS 非揮發(fā)性?xún)却娴膶?zhuān)利，提供合作晶圓廠(chǎng)嵌入式閃存及嵌入式非揮發(fā)性?xún)却娼鉀Q方案，并授權其制造各種不同的微控制器及IC卡。 |
