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光刻機（Mask Aligner) 又名：掩模對準曝光機，曝光系統，光刻系統等。常用的光刻機是掩膜對準光刻，所以叫 Mask Alignment System。一般的光刻工藝要經(jīng)歷硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、對準曝光、后烘、顯影、硬烘、刻蝕等工序。Photolithography（光刻） 意思是用光來(lái)制作一個(gè)圖形（工藝）；在硅片表面勻膠，然后將掩模版上的圖形轉移光刻膠上的過(guò)程將器件或電路結構臨時(shí)“復制”到硅片上的過(guò)程。 
光刻機一般根據操作的簡(jiǎn)便性分為三種，手動(dòng)、半自動(dòng)、全自動(dòng): A 手動(dòng)：指的是對準的調節方式，是通過(guò)手調旋鈕改變它的X軸，Y軸和thita角度來(lái)完成對準，對準精度可想而知不高了； B 半自動(dòng)：指的是對準可以通過(guò)電動(dòng)軸根據CCD的進(jìn)行定位調諧； C 自動(dòng)： 指的是 從基板的上載下載，曝光時(shí)長(cháng)和循環(huán)都是通過(guò)程序控制，自動(dòng)光刻機主要是滿(mǎn)足工廠(chǎng)對于處理量的需要。 曝光系統最核心的部件之一是紫外光源, 常見(jiàn)光源分為: 可見(jiàn)光：g線(xiàn)：436nm 紫外光（UV），i線(xiàn)：365nm 深紫外光（DUV）,KrF 準分子激光：248 nm, ArF 準分子激光：193 nm 極紫外光（EUV），10 ~ 15 nm 對光源系統的要求: a.有適當的波長(cháng)。波長(cháng)越短，可曝光的特征尺寸就越��；[波長(cháng)越短，就表示光刻的刀鋒越鋒利，刻蝕對于精度控制要求越高。] b.有足夠的能量。能量越大，曝光時(shí)間就越短； c.曝光能量必須均勻地分布在曝光區。[一般采用光的均勻度或者叫不均勻度 光的平行度等概念來(lái)衡量光是否均勻分布] 常用的紫外光光源是高壓弧光燈（高壓汞燈），高壓汞燈有許多尖銳的光譜線(xiàn)，經(jīng)過(guò)濾光后使用其中的g線(xiàn)（436 nm）或i線(xiàn)（365 nm）。對于波長(cháng)更短的深紫外光光源，可以使用準分子激光。例如KrF準分子激光（248 nm）、ArF準分子激光（193 nm）和F2準分子激光（157 nm）等。曝光系統的功能主要有：平滑衍射效應、實(shí)現均勻照明、濾光和冷光處理、實(shí)現強光照明和光強調節等。 光刻機的主要性能指標有：支持基片的尺寸范圍，分辨率、對準精度、曝光方式、光源波長(cháng)、光強均勻性、生產(chǎn)效率等。 分辨率是對光刻工藝加工可以達到的最細線(xiàn)條精度的一種描述方式。光刻的分辨率受受光源衍射的限制,所以與光源、光刻系統、光刻膠和工藝等各方面的限制。 對準精度是在多層曝光時(shí)層間圖案的定位精度。 曝光方式分為接觸接近式、投影式和直寫(xiě)式。 曝光光源波長(cháng)分為紫外、深紫外和極紫外區域，光源有汞燈，準分子激光器等。
最后小編推薦一款應用在紫外光刻機中的紫外線(xiàn)探測器，由工采網(wǎng)從國外引進(jìn)的紫外光電二極管 - SG01D-C18, SiC具有極其特別的優(yōu)點(diǎn)，能承受高強度的輻射，對可見(jiàn)光幾乎不敏感，產(chǎn)生的暗電流低，響應速度快，這些特性使得SiC成為能夠抑制可見(jiàn)光用來(lái)制作半導體紫外線(xiàn)探測器很好的材料。SiC探測器可以長(cháng)期工作在高達170℃的溫度中，溫度系數低（<0.1%/K）并且噪音低，能夠有效的監測到很低的輻射強度（需配置相應的放大器）。 |
