佳能將在2021年4月上旬發(fā)售面向后道工序的半導體光刻機新產(chǎn)品——i線(xiàn)步進(jìn)式光刻機 “FPA-5520iV LF Option”。該產(chǎn)品實(shí)現了面向先進(jìn)封裝3的52×68mm大視場(chǎng)曝光，解析度達1.5μm。
FPA-5520iV LF Option 為了提高半導體芯片的性能，不僅在半導體制造的前道工序中實(shí)現電路的微細化十分重要，在后道工序中的高密度封裝也備受矚目。為實(shí)現高性能的先進(jìn)封裝，需要精細的重布線(xiàn)，近年來(lái)已經(jīng)開(kāi)始使用半導體光刻機進(jìn)行重布線(xiàn)工藝。新產(chǎn)品繼承了可應對先進(jìn)封裝的舊機型“FPA-5520iV”（2016年7月發(fā)售）的基本性能，同時(shí)實(shí)現了大視場(chǎng)下電路圖形的曝光，可滿(mǎn)足異構封裝等多種先進(jìn)封裝技術(shù)的需求。 ■ 通過(guò)搭載新投影光學(xué)系統實(shí)現大視場(chǎng)的一次曝光 通過(guò)搭載新投影光學(xué)系統，新產(chǎn)品可以一次曝光52×68mm的大視場(chǎng)，達到了前道工序中光刻機標準視場(chǎng)26×33mm的4倍以上。通過(guò)大視場(chǎng)曝光，實(shí)現了連接多個(gè)大型半導體芯片的異構封裝。此外，該產(chǎn)品具有1.5μm的高解析度，可以曝光出精細的重布線(xiàn)圖案，從而可應對多種先進(jìn)封裝工藝。另外，在使用高解析度選項的情況下，可以實(shí)現以1.0μm的高解析度曝光重布線(xiàn)圖案。 ■ 繼承“FPA-5520iV”的基本性能 新產(chǎn)品繼承了“FPA-5520iV”受到廣泛好評的基本性能。通過(guò)這些共通的基本性能，可以實(shí)現封裝工藝量產(chǎn)課題中的再構成基板變形問(wèn)題的靈活應對，還可以在芯片排列偏差較大的再構成基板上檢測出對準標記，從而提高生產(chǎn)效率，實(shí)現高生產(chǎn)性等優(yōu)勢。 |
