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據工業(yè)和信息化部發(fā)布的最新消息，上海微電子裝備（集團）股份有限公司已成功提交了一項名為“極紫外輻射發(fā)生裝置及光刻設備”的發(fā)明專(zhuān)利申請（申請號：CN202310226636.7）。該專(zhuān)利針對當前極紫外（EUV）光刻技術(shù)中的關(guān)鍵挑戰，提出了一種創(chuàng )新性的解決方案，旨在高效且簡(jiǎn)便地收集光刻過(guò)程中產(chǎn)生的帶電粒子，以提高光刻設備中關(guān)鍵部件——收集器鏡的使用壽命。 光刻機被譽(yù)為“芯片之母”，是集成電路制造中最為關(guān)鍵的設備之一。此次專(zhuān)利申請的核心技術(shù)，正是針對光刻機中極紫外光源系統的優(yōu)化與創(chuàng )新。通過(guò)巧妙設計，利用電場(chǎng)約束帶電粒子的運動(dòng)軌跡，該技術(shù)能夠高效收集并處理光刻過(guò)程中產(chǎn)生的有害帶電粒子，如錫碎屑等，從而延長(cháng)收集器鏡的使用壽命，并顯著(zhù)提升光刻設備的整體性能和穩定性。 值得注意的是，該專(zhuān)利的提出不僅解決了極紫外光刻設備中的一大技術(shù)難題，更標志著(zhù)中國在7納米芯片光刻技術(shù)領(lǐng)域取得了重要進(jìn)展。工信部此前發(fā)布的《首臺(套)重大技術(shù)裝備推廣應用指導目錄(2024年版)》中，明確列出了氟化氬光刻機，并對其技術(shù)參數提出了具體要求，包括光源為193納米、分辨率不大于65納米、套刻精度不大于8納米等。這一指標的提出，彰顯了我國在半導體制造領(lǐng)域追求技術(shù)突破的決心和實(shí)力。 隨著(zhù)此次專(zhuān)利申請的提交，中國半導體行業(yè)在7納米芯片光刻技術(shù)上的突破得到了進(jìn)一步確認。這不僅意味著(zhù)我國在該領(lǐng)域已經(jīng)具備了自主研發(fā)和量產(chǎn)能力，也為未來(lái)實(shí)現更高精度、更高性能的芯片制造奠定了堅實(shí)基礎。 據了解，上海微電子裝備（集團）股份有限公司作為該專(zhuān)利的申請者，其核心團隊由多位資深科學(xué)家和工程師組成，他們在光刻技術(shù)領(lǐng)域積累了豐富的經(jīng)驗和深厚的技術(shù)底蘊。此次專(zhuān)利申請的成功，是公司長(cháng)期以來(lái)堅持自主創(chuàng )新、不斷突破技術(shù)瓶頸的結果，也是中國半導體行業(yè)集體智慧的結晶。 |
