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英飛凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）近日宣布推出采用先進(jìn)溝道工藝制造的全新單P溝道40V汽車(chē)電源MOSFET產(chǎn)品系列。全新的40V OptiMOS™ P2產(chǎn)品為能效改進(jìn)、碳減排和成本節約樹(shù)立了行業(yè)新標桿，從而進(jìn)一步鞏固英飛凌在新一代汽車(chē)電源管理應用領(lǐng)域的領(lǐng)導地位。 新推出的器件系列采用多種標準封裝，電流范圍為50A至180A，囊括30多個(gè)器件型號，其中包括通態(tài)電阻最低的車(chē)用P溝道40V MOSFET。180A是P溝道工藝的基準。P溝道40V OptiMOS P2產(chǎn)品用作汽車(chē)橋式電路中的高邊開(kāi)關(guān)，無(wú)需額外的電荷泵器件，從而可大幅節約成本，改進(jìn)電磁干擾性能。新器件與PWM（脈寬調制）控制裝置結合使用，可具備優(yōu)于N溝道 MOSFET的熱性能和抗雪崩性能。這使它成為汽車(chē)電池反接保護和電機控制應用的理想之選，例如EPS（電動(dòng)助力轉向）電機控制裝置、三相電機和H橋電機（如擋風(fēng)玻璃雨刮器、電動(dòng)駐車(chē)制動(dòng)裝置、空調風(fēng)扇控制裝置和電動(dòng)水泵以及電動(dòng)燃油泵等）。 鑒于溝道型MOSFET所具備的成本和能效優(yōu)勢，整個(gè)行業(yè)都明顯看好這種技術(shù)�；谟w凌的第二代溝道工藝，OptiMOS P2器件具備低柵極電荷、低電容、低開(kāi)關(guān)損耗、大電流和出色的性能系數指標（性能系數：RDS(on) x Qg），從而使電機具備高能效，同時(shí)最大程度地降低電磁輻射。例如，僅2.4mΩ的行業(yè)最低通態(tài)電阻（采用D2PAK封裝，電壓10V）不足市場(chǎng)上同類(lèi)MOSFET的三分之一。 通過(guò)推出全新的P溝道40V器件，英飛凌壯大了適用于采用橋式配置的電機控制裝置的產(chǎn)品陣容。這種采用橋式配置的電機控制裝置廣泛應用于各種汽車(chē)系統。橋式配置需要高邊MOSFET和低邊MOSFET。相對于N溝道MOSFET，新型P溝道器件不需要額外的電荷泵執行驅動(dòng)直流有刷電機或直流無(wú)刷三相電機的高邊開(kāi)關(guān)的功能。這可節省成本，因為P溝道也可通過(guò)一個(gè)簡(jiǎn)單的驅動(dòng)電路驅動(dòng)。對于H橋電機而言，平均可節省大約5%至10%的成本。 舉例來(lái)說(shuō)，傳統的液壓助力轉向系統依靠發(fā)動(dòng)機提供動(dòng)力，這意味著(zhù)電機必須持續不斷地運行。對于電動(dòng)助力轉向系統而言，只是在需要助力時(shí)才使用電機，這有助于降低油耗。利用電控水和油泵代替液壓水和油泵還可使車(chē)身重量減輕多達4公斤，從而提高燃油效率。從環(huán)保的角度而言，電動(dòng)泵也具備優(yōu)勢，因為在車(chē)輛回收時(shí)沒(méi)有什么油需要處理。此外，電動(dòng)水泵絕對是混合動(dòng)力汽車(chē)必備的裝置。 在MSL1 （潮濕敏感度等級1）條件下，采用結實(shí)耐用封裝（Robust Package）的OptiMOS P2器件可承受高達260 °C的回流焊接溫度。OptiMOS P2器件還采用符合RoHS標準的無(wú)鉛電鍍的要求。這種功率MOSFET完全符合汽車(chē)電子委員會(huì )的AEC-Q101規范。 英飛凌公司網(wǎng)站： www.infineon.com |
