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可實(shí)現高性能和低損耗的突破性技術(shù) 對于工業(yè)、運輸/汽車(chē)、醫療、航空航天、國防和通信市場(chǎng)領(lǐng)域的電力電子產(chǎn)品設計人員而言，碳化硅（SiC）半導體技術(shù)為他們提供了一種創(chuàng )新選擇，有助于提升系統效率、縮小產(chǎn)品尺寸并且適應更高的工作溫度。我們的下一代SiC MOSFET和SiC SBD設計在額定導通電阻或額定電流下具有較高的重復性非鉗位感應開(kāi)關(guān)（UIS）能力。我們的SiC MOSFET可保持較高的UIS能力（每平方厘米約10–25焦耳（J/cm2））以及穩健的短路保護性能。Microchip的SiC肖特基勢壘二極管（SBD）設計在低反向電流下具有平衡的浪涌電流、正向電壓、熱阻和熱電容額定值，可實(shí)現較低的開(kāi)關(guān)損耗。此外，我們的SiC MOSFET和SiC SBD裸片可以在模塊中配合使用。Microchip的SiC MOSFET和SiC SBD產(chǎn)品將符合AEC-Q101標準。 資料下載： 
碳化硅半導體產(chǎn)品宣傳冊.pdf
(3.81 MB)
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