三星推 8nm 射頻芯片制程,搶攻 5G 領(lǐng)域

發(fā)布時(shí)間:2021-6-15 11:05    發(fā)布者:eechina
關(guān)鍵詞: 5G射頻 , RFeFET , 多天線(xiàn)
來(lái)源: IT之家

三星電子上周高調宣布開(kāi)發(fā)出 8nm 射頻(RF)芯片制程技術(shù),希望搶攻 5G 領(lǐng)域晶圓代工訂單。

據悉,三星開(kāi)發(fā)了一種獨特的 8nm 射頻專(zhuān)用架構,名為 RFextremeFET (RFeFET),可以顯著(zhù)改善射頻特性,同時(shí)使用更少的功率。

與 14nm RF 相比,三星的 RFeFET 補充了數字 PPA 縮放并同時(shí)恢復了模擬 / RF 縮放,從而實(shí)現了高性能 5G 平臺。此外,新的 8nm RF 芯片可提高 35% 的效率且減少 35% 的面積。

據 Newsis 等消息,三星計劃以 8nm RF 晶圓代工工藝技術(shù)服務(wù),以此搶攻 5G 領(lǐng)域。

據介紹,三星這種尖端的代工技術(shù)有望提供“單芯片解決方案”,專(zhuān)門(mén)用于支持多通道和多天線(xiàn)芯片設計的 5G 通信。三星的 8nm 射頻平臺擴展有望將公司在 5G 半導體市場(chǎng)的領(lǐng)先地位從低于 6GHz 擴展到毫米波應用。



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