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來(lái)源: IT之家 三星電子上周高調宣布開(kāi)發(fā)出 8nm 射頻（RF）芯片制程技術(shù)，希望搶攻 5G 領(lǐng)域晶圓代工訂單。 據悉，三星開(kāi)發(fā)了一種獨特的 8nm 射頻專(zhuān)用架構，名為 RFextremeFET (RFeFET)，可以顯著(zhù)改善射頻特性，同時(shí)使用更少的功率。 與 14nm RF 相比，三星的 RFeFET 補充了數字 PPA 縮放并同時(shí)恢復了模擬 / RF 縮放，從而實(shí)現了高性能 5G 平臺。此外，新的 8nm RF 芯片可提高 35% 的效率且減少 35% 的面積。 據 Newsis 等消息，三星計劃以 8nm RF 晶圓代工工藝技術(shù)服務(wù)，以此搶攻 5G 領(lǐng)域。 據介紹，三星這種尖端的代工技術(shù)有望提供“單芯片解決方案”，專(zhuān)門(mén)用于支持多通道和多天線(xiàn)芯片設計的 5G 通信。三星的 8nm 射頻平臺擴展有望將公司在 5G 半導體市場(chǎng)的領(lǐng)先地位從低于 6GHz 擴展到毫米波應用。 
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