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FRAM只是一種像ram一樣運行的高速非易失性存儲器。這允許程序員根據需要靈活地分配ROM和RAM存儲器映射。它為最終用戶(hù)創(chuàng )造了在底層對FRAM進(jìn)行編程以根據他們的個(gè)人喜好進(jìn)行定制的機會(huì )。獨立的FRAM允許設計人員發(fā)揮創(chuàng )造力，在廣泛的設計中探索和使用FRAM。FRAM具有非揮發(fā)性、高速寫(xiě)入、高耐力以及低功耗的特性，適合應用在辦公自動(dòng)化設備、通訊設備、音響、影音設備、測量分析裝置、娛樂(lè )、固態(tài)硬盤(pán)、自動(dòng)柜員機、FA等領(lǐng)域。富士通代理介紹一款I(lǐng)2C接口的鐵電存儲器。 ■描述 MB85RC16V是一款FRAM芯片，采用2,048字×8位配置，采用鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)形成非易失性存儲單元。與SRAM不同，MB85RC16V能夠在不使用數據備份電池的情況下保留數據。 MB85RC16V中使用的存儲單元每字節至少具有1012次讀/寫(xiě)操作耐久性，與其他非易失性存儲產(chǎn)品支持的讀和寫(xiě)操作數量相比，這是一個(gè)顯著(zhù)的改進(jìn)。MB85RC16V可以提供以1字節為單位的寫(xiě)入，因為不像Flash存儲器和E2PROM需要很長(cháng)的寫(xiě)入時(shí)間。因此不需要像寫(xiě)忙狀態(tài)那樣的寫(xiě)完成等待序列。 ■特點(diǎn) •位配置：2,048字×8位 •兩線(xiàn)串行接口：完全由兩個(gè)端口控制：串行時(shí)鐘（SCL）和串行數據（SDA）。 •工作頻率：1MHz（最大） •讀/寫(xiě)耐久性：1012次/字節 •數據保留：10年(+85℃)、95年(+55℃)、超過(guò)200年(+35℃) •工作電源電壓：3.0V至5.5V •低功耗：工作電源電流90μA(Typ@1MHz)待機電流5μA(Typ) •工作環(huán)境溫度范圍：−40℃至+85℃ •封裝：8針塑料SOP(FPT-8P-M02)符合RoHS ■I2C（內部集成電路） MB85RC16V具有兩線(xiàn)串行接口；I2C總線(xiàn)，并作為從設備運行。 I2C總線(xiàn)定義了“主”和“從”設備的通信角色，主方擁有發(fā)起控制的權限。此外，I2C總線(xiàn)連接是可能的，其中單個(gè)主設備連接到派對線(xiàn)路配置中的多個(gè)從設備。 ■I2C通信協(xié)議 I2C總線(xiàn)僅通過(guò)兩條線(xiàn)提供通信，因此，當SCL為“L”電平時(shí)，SDA輸入應改變。但是，在啟動(dòng)和停止通信序列時(shí)，SDA允許更改，而SCL為“H”電平。 •開(kāi)始條件 要通過(guò)I2C總線(xiàn)啟動(dòng)讀或寫(xiě)操作，請在SCL輸入為“H”電平時(shí)將SDA輸入從“H”電平更改為“L”電平。 •停止條件 要停止I2C總線(xiàn)通信，請在SCL輸入為“H”電平時(shí)將SDA輸入從“L”電平更改為“H”電平。在讀取操作中，輸入停止條件完成讀取并進(jìn)入待機狀態(tài)。在寫(xiě)入操作中，輸入停止條件完成重寫(xiě)數據的輸入并進(jìn)入待機狀態(tài)。 |
| FRAM只是一種像ram一樣運行的高速非易失性存儲器。這允許程序員根據需要靈活地分配ROM和RAM存儲器映射。它為最終用戶(hù)創(chuàng )造了在底層對FRAM進(jìn)行編程以根據他們的個(gè)人喜好進(jìn)行定制的機會(huì )。 |
| FRAM具有非揮發(fā)性、高速寫(xiě)入、高耐力以及低功耗的特性，適合應用在辦公自動(dòng)化設備、通訊設備、音響、影音設備、測量分析裝置、娛樂(lè )、固態(tài)硬盤(pán)、自動(dòng)柜員機、FA等領(lǐng)域。富士通代理介紹一款I(lǐng)2C接口的鐵電存儲器。 |
| MB85RC16V是一款FRAM芯片，采用2,048字×8位配置，采用鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)形成非易失性存儲單元。與SRAM不同，MB85RC16V能夠在不使用數據備份電池的情況下保留數據。 |
