近日，英飛凌科技股份有限公司 (FSE：IFX/OTCQX：IFNNY) 推出 650 V CoolSiC Hybrid IGBT 單管產(chǎn)品組合，具有650 V阻斷電壓。新款 CoolSiC Hybrid產(chǎn)品系列結合了650 V TRENCHSTOP 5 IGBT技術(shù)和碳化硅肖特基二極管的主要優(yōu)點(diǎn)，具備出色的開(kāi)關(guān)速度和更低的開(kāi)關(guān)損耗，特別適用于 DC-DC 功率變換器和PFC電路。其常見(jiàn)應用包括：電動(dòng)車(chē)輛充電設施、儲能系統、光伏逆變器、不間斷電源系統 (UPS)，以及服務(wù)器和電信用開(kāi)關(guān)電源 (SMPS)。
由于續流 SiC 肖特基二極管與 IGBT 在共同封裝中，在 dv/dt 和 di/dt 值幾乎不變情況下，CoolSiC Hybrid IGBT能大幅降低開(kāi)關(guān)損耗。與標準的硅二極管解決方案相比，新產(chǎn)品可降低多達 60% 的 Eon 和30%的Eoff�；蛘�，也可在輸出功率保持不變情況下，提高開(kāi)關(guān)頻率至少40%。較高的開(kāi)關(guān)頻率有助于縮小無(wú)源元件的尺寸，進(jìn)而降低物料清單成本。該Hybrid IGBT可直接替代TRENCHSTOP5 IGBT，無(wú)需重新設計，便能使每10 kHz開(kāi)關(guān)頻率提升0.1%的效率。 此產(chǎn)品系列可作為純硅解決方案和高性能SiC MOSFET設計之間的另一種選擇，與純硅設計相比，Hybrid IGBT可提升電磁相容性和系統可靠性。由于SiC肖特基二極管能快速換流，而不會(huì )有嚴重的振蕩和寄生導通的風(fēng)險。此系列提供TO-247-3或TO-247-4引腳的Kelvin Emitter封裝供客戶(hù)選擇。Kelvin Emitter封裝的第四管腳可實(shí)現超低電感的柵極驅動(dòng)控制回路，并降低總開(kāi)關(guān)損耗。 目前，深圳科士達科技股份有限公司已成功導入650 V CoolSiC Hybrid IGBT單管在其UPS與組串式光伏逆變器的新平臺設計中，從而提升系統效率，優(yōu)化系統性能。 深圳科士達科技股份有限公司董事長(cháng)劉程宇就此表示：“科士達將與英飛凌有長(cháng)年戰略合作歷程，持續在不間斷電源與太陽(yáng)能領(lǐng)域提供高可靠性的前沿科技產(chǎn)品，我們將在未來(lái)繼續合作，在縱深的基礎上開(kāi)展更廣泛的合作發(fā)展�！� 英飛凌科技副總裁、工業(yè)功率控制事業(yè)部大中華區負責人于代輝表示：“我們的創(chuàng )新來(lái)自于技術(shù)進(jìn)步和客戶(hù)的需求。把Hybrid IGBT技術(shù)從模塊導入到單管，以滿(mǎn)足客戶(hù)對高能效系統的追求，滿(mǎn)足系統設計的靈活性，從而提高客戶(hù)的競爭能力�！� 供貨情況 CoolSiC Hybrid分立式IGBT系列延續先前所推出采用IGBT和CoolSiC肖特基二極管的CoolSiC Hybrid IGBT EasyPACK1B和2B模塊的成功經(jīng)驗。此分立式產(chǎn)品組合即日起接受訂購。系列包含與半額定CoolSiC第6代二極管共同封裝的40A、50A 和 75A 650 V TRENCHSTOP 5超高速H5 IGBT，或與全額定CoolSiC第6代二極管共同封裝的中等速度S5 IGBT。如欲了解更多信息，敬請瀏覽www.infineon.com/coolsic- hybrid-discretes。 |
