學(xué)子專(zhuān)區—ADALM2000實(shí)驗:MOS差分對

發(fā)布時(shí)間:2021-12-20 16:38    發(fā)布者:eechina
關(guān)鍵詞: ADALM2000 , NMOS , 差分放大器
StudentZone— ADALM2000 Activity: MOS Differential Pair

作者:ADI公司  Doug Mercer,顧問(wèn)研究員;Antoniu Miclaus,系統應用工程師

目標

本次實(shí)驗旨在研究使用增強模式NMOS晶體管的簡(jiǎn)單差分放大器。

2021年6月學(xué)子專(zhuān)區文章中提出的關(guān)于硬件限制問(wèn)題的說(shuō)明對本次實(shí)驗也是有效的。通過(guò)提高信號電平,然后在波形發(fā)生器輸出和電路輸入之間放置衰減器和濾波器(參見(jiàn)圖1),可以改善信噪比。本次實(shí)驗需要如下材料:

►        兩個(gè)100 Ω電阻
►        兩個(gè)1 kΩ電阻
►        兩個(gè)0.1 μF電容(標記為104)


圖1.11:1衰減器/濾波器

本次實(shí)驗的所有部分都會(huì )使用該衰減器和濾波器。

材料
►        ADALM2000主動(dòng)學(xué)習模塊
►        無(wú)焊面包板
►        跳線(xiàn)
►        兩個(gè)10 kΩ電阻
►        一個(gè)15 kΩ電阻(將10 kΩ和4.7 kΩ電阻串聯(lián))
►        兩個(gè)小信號NMOS晶體管(CD4007或ZVN2110A)

說(shuō)明

實(shí)驗室硬件的連接如圖2所示。M1和M2應從可用的且Vth匹配最佳的器件中選擇。M1和M2的源極與R3的一端共享一個(gè)連接。R3的另一端連接到Vn (-5V),提供尾電流。M1的基極連接到第一個(gè)任意波形發(fā)生器的輸出,M2的基極連接到第二個(gè)任意波形發(fā)生器的輸出。兩個(gè)集電極負載電阻R1和R2分別連接在M1和M2的集電極與正電源Vp (+5 V)之間。差分示波器輸入2+/2-用于測量?jì)蓚(gè)10 kΩ負載電阻上的差分輸出。


圖2.帶尾電阻的NMOS差分對


圖3.NMOS差分對面包板

硬件設置

第一個(gè)波形發(fā)生器配置為200 Hz三角波,峰峰值幅度為4 V,偏移為0 V。第二個(gè)波形發(fā)生器也應配置為200 Hz三角波,峰峰值幅度為4 V,偏移為0 V,但相位為180°。示波器的通道1應與1+連接到第一個(gè)波形發(fā)生器W1的輸出,與1-連接到W2的輸出。通道2應連接到標注2+和2-處,并設置為每格1 V。

程序步驟

獲取如下數據:x軸是任意波形發(fā)生器的輸出,y軸是使用2+和2-輸入的示波器通道2。通過(guò)改變R3的值,同學(xué)們可以探索尾電流電平對電路增益的影響(觀(guān)察通過(guò)原點(diǎn)的直線(xiàn)的斜率)和對線(xiàn)性輸入范圍的影響,以及當電路飽和時(shí),觀(guān)察增益非線(xiàn)性下降的形狀。


圖4.NMOS差分對XY圖

電流源用作尾電流

使用簡(jiǎn)單電阻作為尾電流具有局限性。同學(xué)們可以探索構建電流源來(lái)偏置差分對的方法。這可以由幾個(gè)額外的晶體管和電阻構成,如之前的ADALM2000實(shí)驗“穩定電流源”所示。

附加材料
►        兩個(gè)小信號NMOS晶體管(M3和M4采用CD4007或ZVN2110A)


圖5.帶尾電流源的差分對

硬件設置

第一個(gè)波形發(fā)生器配置為200 Hz三角波,峰峰值幅度為4 V,偏移為0 V。第二個(gè)波形發(fā)生器也應配置為200 Hz三角波,峰峰值幅度為4 V,偏移為0 V,但相位為180°。電阻分壓器將Q1和Q2的基極處的信號幅度降低到略小于200 mV。示波器的通道1應與1+連接到第一個(gè)波形發(fā)生器W1的輸出,與1-連接到W2的輸出。通道2應連接到標注2+和2-的位置,并設置為每格1 V。


圖6.帶尾電流源的差分對面包板電路

程序步驟

配置示波器以捕獲所測量的兩個(gè)信號的多個(gè)周期。XY圖示例如圖7所示。


圖7.帶尾電流源的差分對XY圖

測量共模增益

共模抑制(CMR)是差分放大器的一個(gè)關(guān)鍵方面。CMR可以通過(guò)將兩個(gè)晶體管M1和M2的基極連接到同一輸入源來(lái)測量。圖10顯示了當W1的共模電壓從+3 V掃描至-3 V時(shí),電阻偏置差分對和電流源偏置差分對的差分輸出。當柵極上的正電壓接近漏極電壓,晶體管從飽和區進(jìn)入三極管(阻性)區域時(shí),增益受到的影響最大。這可以通過(guò)觀(guān)察相對于地為單端(即將2-輸入接地)的漏極電壓來(lái)監測。應調整發(fā)生器的幅度,直到輸出端信號就要開(kāi)始削波/折疊。


圖8.測量共模增益

硬件設置

波形發(fā)生器配置為100 Hz正弦波,峰峰值幅度為6 V,偏移為0 V。示波器的通道1應與1+連接到第一個(gè)波形發(fā)生器W1的輸出,與1-連接到地。通道2應連接到標注2+和2-的位置,并設置為每格1 V。


圖9.共模增益面包板電路

程序步驟

配置示波器以捕獲所測量的兩個(gè)信號的多個(gè)周期。使用LTspice®的波形示例如圖10所示。


圖10.共模增益波形

問(wèn)題:
►        如果將晶體管M1的基極視為輸入,圖8中的晶體管放大器對于輸出2+和2-而言是反相還是同相?解釋您的答案。
►        說(shuō)明當輸入電壓(W1)增大或減小時(shí),每個(gè)輸出電壓(2+和2-)會(huì )發(fā)生什么。

您可以在學(xué)子專(zhuān)區博客上找到問(wèn)題答案。

作者簡(jiǎn)介

Doug Mercer于1977年畢業(yè)于倫斯勒理工學(xué)院(RPI),獲電子工程學(xué)士學(xué)位。自1977年加入ADI公司以來(lái),他直接或間接貢獻了30多款數據轉換器產(chǎn)品,并擁有13項專(zhuān)利。他于1995年被任命為ADI研究員。2009年,他從全職工作轉型,并繼續以名譽(yù)研究員身份擔任ADI顧問(wèn),為“主動(dòng)學(xué)習計劃”撰稿。2016年,他被任命為RPI ECSE系的駐校工程師。聯(lián)系方式:doug.mercer@analog.com。

Antoniu Miclaus現為ADI公司的系統應用工程師,從事ADI教學(xué)項目工作,同時(shí)為Circuits from the Lab®、QA自動(dòng)化和流程管理開(kāi)發(fā)嵌入式軟件。他于2017年2月在羅馬尼亞克盧日-納波卡加盟ADI公司。他目前是貝碧思鮑耶大學(xué)軟件工程碩士項目的理學(xué)碩士生,擁有克盧日-納波卡科技大學(xué)電子與電信工程學(xué)士學(xué)位。聯(lián)系方式:antoniu.miclaus@analog.com。

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