|
參與第3期Numonyx知識競賽,贏(yíng)取Altera Cyclone III 開(kāi)發(fā)板和sd卡,你還在等什么,趕緊去參加把!
http://comm.ednchina.com/Company/Numonyx/Question.aspx
挑戰問(wèn)題三
問(wèn)題1 隨著(zhù)如今的高容量存儲器技術(shù)邁向下一代具有挑戰性的30nm大關(guān),人們認為相變存儲器的理論極限尺度是?
20 nm
15 nm
10 nm
5 nm
問(wèn)題2 Numonyx近期在何處發(fā)表了題為《硫族化合物相變存儲器:未來(lái)十年的存儲器技術(shù)》的文章?
2009年IEEE國際電子器件會(huì )議(IEDM)
2010年IEEE系統會(huì )議
BCS統計與預測會(huì )議
先進(jìn)技術(shù)分會(huì )
問(wèn)題3 下面哪種技術(shù)相較于另外三種生產(chǎn)技術(shù)其產(chǎn)品耐久度能夠獲得十倍以上的提升?
NAND SLC
NOR
PCM
NAND MLC
問(wèn)題4 相變存儲器單元的非結晶態(tài)和結晶態(tài)的轉變導致電荷流經(jīng)存儲器單元時(shí)阻力的變化是下面哪種技術(shù)的典型范例?
電荷存儲技術(shù)
浮動(dòng)柵技術(shù)
狀態(tài)轉換技術(shù)
衰竭離子技術(shù)
問(wèn)題5 下面哪種問(wèn)題的產(chǎn)生于電荷存儲單元面積的不斷縮小有關(guān)?
可以存儲電子的單元的質(zhì)量
隨著(zhù)層數的增加,MLC可靠性的降低
每bit成本繼續以傳統方式降低時(shí)所面臨的潛在困難
上述三個(gè)選項 |
|
|