過(guò)孔STUB長(cháng),DDR信號“強”?

發(fā)布時(shí)間:2022-5-11 11:03    發(fā)布者:edadoc2003
關(guān)鍵詞: DDR4 , 過(guò)孔 , STUB , 拓撲 , STUB
作者:一博科技高速先生 姜杰
Layout組有個(gè)雷工,大家叫他老雷,盡管畫(huà)板多年閱板無(wú)數,但還是被SI同事給出的DDR4信號優(yōu)化建議整懵圈了;SI組也有個(gè)雷工,大家叫他小雷,盡管初出茅廬時(shí)默默無(wú)聞,但是在他優(yōu)化的這版一驅九DDR4穩定運行在3200Mbps后,他將被尊稱(chēng)為豹哥。
一驅九DDR4設計一直是行業(yè)公認的難點(diǎn),尤其是板載顆粒的方案,當然,具體難度也因板而異。不幸的是,兩位雷工這次遇到的是個(gè)硬骨頭,不光是板載顆粒設計,還是個(gè)改板,之所以改板,原因很簡(jiǎn)單,之前的板子DDR4數據信號沒(méi)有達到3200Mbps的預期速率。 客戶(hù)反饋前一版本已經(jīng)可以跑到2933Mbps, 改板的需求也很簡(jiǎn)單,就是能穩定運行到3200Mbps,畢竟,上一版離目標速率也就差那么一點(diǎn)點(diǎn)。

與客戶(hù)的樂(lè )觀(guān)不同,小雷覺(jué)得事情可能不像預期的那么容易?梢耘袛嗟氖,上一版是裕量不足導致的marginal fail,問(wèn)題是,從2933Mbps到3200Mbps,這點(diǎn)看似不起眼的裕量去哪找?
熟悉高速先生文章的朋友一定還記得,一驅多DDRX,難點(diǎn)往往不在速率較高的數據信號,而在于速率只有數據信號一半的地址控制類(lèi)信號,原因這里再解釋哈:數據信號一般都是點(diǎn)到點(diǎn)的拓撲,而且大多有片上端接(ODT),走線(xiàn)拓撲簡(jiǎn)單,又有端接,信號想跑不起來(lái)都難;地址控制類(lèi)信號的處境就難多了,難就難在一驅多的走線(xiàn)拓撲對信號的影響太大,即便速率相比數據信號減半。


小雷也深知這一點(diǎn),所以上一版數據信號跑不到3200Mbps,大概率是因為DDR4的地址控制類(lèi)信號達不到1600Mbps,于是查板從此類(lèi)信號入手,上一版的走線(xiàn)拓撲為Clamshell,看不懂單詞沒(méi)關(guān)系,畫(huà)出來(lái)你就秒懂了:


對于空間受限的單板而言,一驅九DDR4選擇這個(gè)拓撲也算合理。Clamshell拓撲可以認為是Flyby拓撲和T拓撲的組合,所以既有Flyby拓撲的特點(diǎn),也就是近端顆粒的信號質(zhì)量特別差;也有T拓撲的特點(diǎn),近端的DRAM1和DRAM2一樣差。小雷的仿真結果也驗證了這一點(diǎn),上一版近端顆粒的眼圖(地址信號速率1600Mbps)確實(shí)在Pass和Fail的邊緣瘋狂試探,無(wú)怪乎壓力測試速率總是差那么一點(diǎn)點(diǎn)。


令人沮喪的是,無(wú)論小雷如何調整Clamshell拓撲參數,近端顆粒的信號質(zhì)量始終不見(jiàn)改善,看來(lái)前一版的設計也是下過(guò)功夫的。關(guān)鍵時(shí)刻,客戶(hù)提供了另外一個(gè)信息:同樣的主控芯片,在板載顆粒方案之前,有過(guò)DIMM條成功的案例,當時(shí)的DIMM條上的DDR顆粒采用Flyby拓撲,設計如下:


苦無(wú)良方的小雷決定照葫蘆畫(huà)瓢,讓老雷把板載顆粒也改為Flyby拓撲試試,不過(guò),由于單板空間不像DIMM條充足,板載DDR芯片需要雙面布局,調整后的地址信號拓撲如下:


老雷不愧設計老炮兒,三下五除二把板子改了出來(lái),除了因空間受限與DIMM條的布局無(wú)法做到一樣,DDR信號的各段走線(xiàn)長(cháng)度、阻抗控制都與DIMM條保持一致,還很貼心了調整了信號走線(xiàn)層,讓過(guò)孔stub盡量短。
小雷查板之后相當滿(mǎn)意,老雷得到認可后也很得意,甚至自信滿(mǎn)滿(mǎn)的與客戶(hù)確定了投板日期,萬(wàn)事俱備,只欠仿真驗證了。

調整為Flyby拓撲的板載顆粒方案仿真結果居然又翻車(chē)了,近端顆粒信號質(zhì)量略有改善,但是仍沒(méi)達到預期效果:


小雷迷茫了,目前的仿真結果顯然無(wú)法支持數據信號穩定運行到3200Mbps。拓撲、走線(xiàn)、阻抗都控制的和DIMM一毛一樣,為啥結果還差著(zhù)一截?


一定是漏了什么?小雷對著(zhù)DIMM條和板載設計的Flyby一點(diǎn)點(diǎn)的排查,功夫不負有心人,經(jīng)過(guò)一整天的對比驗證,終于發(fā)現了關(guān)鍵影響因素。最后給出的優(yōu)化方案讓老雷驚掉了下巴:調整主控芯片與近端顆粒之間走線(xiàn)的層面,控制過(guò)孔stub越長(cháng)越好。


“都知道SI同事的套路深,沒(méi)想到這么深。眾所周知過(guò)孔stub越短越好,小雷為何這次卻不走尋常路,偏偏要加長(cháng)?!”老雷將信將疑,還是耐著(zhù)性子按照小雷的要求調整走線(xiàn)層,過(guò)孔stub由調整前的35mil增加到94mil。不曾想,仿真結果再次顛覆了老雷的認知,近端顆粒的信號質(zhì)量竟然鬼使神差的好了起來(lái):


老雷心中疑云密布: “為什么會(huì )這樣?難道以前的經(jīng)驗有錯?”
小雷仿佛看透了老雷的想法,于是解釋起來(lái):“其實(shí),一開(kāi)始自己也是百思不得其解,后來(lái)從stub的特點(diǎn)切入,才慢慢有了眉目:過(guò)孔stub本質(zhì)是一種能量泄放的通道,越是高頻的能量受到的影響越大,因此,高速串行信號需要控制過(guò)孔stub盡量短,以避免能量損耗。但是,本項目的特殊之處在于主控芯片的驅動(dòng)較強,加上一驅多拓撲的反射更容易在近端顆粒處積累,所以近端顆粒的信號質(zhì)量就成了通道的瓶頸,增加近端顆粒的過(guò)孔stub長(cháng)度能夠很好的衰減高頻分量,使主芯片輸出的強度減弱,上升沿變緩,最終達到減少反射的目的,相應的,信號質(zhì)量也得到了改善。不過(guò),這也是一家之言,要深入理解這個(gè)現象還有待進(jìn)一步的研究!
“這是不是說(shuō)所有DDRX的Flyby信號拓撲都要控制近端顆粒過(guò)孔stub盡量長(cháng)呢?”老雷繼續問(wèn)道。
小雷沉吟半晌:“不是,增加過(guò)孔stub這種非常規操作需要慎用,這個(gè)項目這么做也是因為有仿真的驗證。如果主控芯片的驅動(dòng)本身比較弱,這時(shí)再增加過(guò)孔stub可能就適得其反了!
老雷秒懂了:“所以,It depends!實(shí)在拿不準的還是要仿真!
兩人會(huì )心一笑,順利投板。兩個(gè)月以后,客戶(hù)反饋了改板調試成功的消息,給這個(gè)項目畫(huà)上了圓滿(mǎn)的句號。

問(wèn)題來(lái)了
大家接觸過(guò)的DDRX最多拖了幾個(gè)顆粒呢?地址信號采用什么拓撲?歡迎分享

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