功耗直降30% 臺積電2nm工藝好于預期:2025年量產(chǎn)

發(fā)布時(shí)間:2022-10-14 10:18    發(fā)布者:eechina
關(guān)鍵詞: 功耗 , 臺積電 , 2nm
來(lái)源:快科技

今天的財報會(huì )上,臺積電不僅公布了Q3季度業(yè)績(jì),同時(shí)也透露了最新的工藝進(jìn)展,3nm工藝的需求已經(jīng)超過(guò)了預期,明年會(huì )滿(mǎn)載量產(chǎn),而2nm工藝也進(jìn)度喜人,2025年量產(chǎn)。

臺積電在6月份正式公布了2nm工藝,并透露了一些技術(shù)細節,相比3nm工藝,在相同功耗下,2nm速度快10~15%;相同速度下,功耗降低25~30%。

不過(guò)在晶體管密度上,2nm工藝的提升就不那么讓人滿(mǎn)意了,相比3nm只提升了10%,遠低于以往至少70%的晶體管密度提升,這可能是臺積電首次在2nm工藝上放棄FinFET晶體管,改用GAA晶體管所致,第一代工藝會(huì )保守一些。

根據臺積電CEO魏哲家的說(shuō)法,2nm工藝的進(jìn)展很順利,甚至超過(guò)預期,不過(guò)他們現在的計劃依然是2025年量產(chǎn),沒(méi)打算提前。

臺積電的2nm工藝應該還是會(huì )由蘋(píng)果首發(fā),今年的A16是4nm,明年的A17及后年的A18應該都是3nm,2025年的A19芯片才有可能用上2nm工藝。
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