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近期美闊電子推出了一款全新的氮化鎵65W（1A2C）PD快充充電器方案，該方案采用同系列控制單晶片：QR一次側控制IC驅動(dòng)MTCD-mode GaN FET(MGZ31N65-650V)、二次側同步整流控制IC及PD3.0協(xié)議IC)可達到最佳匹配。 GaN/氮化鎵作為第三代[url=]半導體[/url]材料經(jīng)常被用在PD快充里面；氮化鎵（GaN）擁有極高的穩定性，將GaN用于充電器的整流管后，能降低開(kāi)關(guān)損耗和驅動(dòng)損耗，提升開(kāi)關(guān)頻率，附帶地降低廢熱的產(chǎn)生，進(jìn)而減小元器件的體積同時(shí)能提高效率。 一、方案概述： 尺寸設計：60mm*60mm*30mm 輸出規格：5V/3A, 9V/3A, 15V/3A, 20V/3.25A 輸入電壓：90-264 Vac @ 60/50Hz 輸出接口：USB-PD C型式,A型式 低待機功耗：空載損耗低于50mW 高效率：輸出20V重載時(shí)可達91.62%效率及功率密度可達1.5W/cm3 供電范圍：二次側同步整流控制IC及PD3.0協(xié)議IC 二、[url=]芯片[/url]特性： MGZ31N65芯片內部集成650V耐壓，250mΩ導阻的氮化鎵開(kāi)關(guān)管；內置驅動(dòng)器以及復雜的邏輯控制電路;支持輸出過(guò)壓保護，支持變壓器磁飽和保護，支持芯片供電過(guò)壓保護，支持過(guò)載保護，支持輸出電壓過(guò)壓保護，支持片內過(guò)熱保護，支持電流取樣電阻開(kāi)路保護，具有低啟動(dòng)電流。 三、PCB布局圖： 四、優(yōu)勢： ■返馳式谷底偵測減少開(kāi)關(guān)損失 ■輕載Burst Mode增加效率 ■最佳效能可達91% ■空載損耗低于50mW ■控制IC可支持頻率高達160 kHz ■系統頻率有Jitter降低EMI干擾 ■控制IC可直接驅動(dòng)GaN ■進(jìn)階保護功能如下： (1) VDD過(guò)電壓及欠電壓保護 (2) 導通時(shí)最大峰值電流保護 (3) 輸出過(guò)電壓保護 (4) 輸出短路保護 ■可輸出65W功率 五、電路原理圖 六、主要零件溫度量測： 七、傳導EMI量測 (CISPR22 Class B/EN55022) 八、輻射EMI量測： GaN/氮化鎵65W（1A2C）PD快充電源方案整體工作頻率更高、環(huán)路穩定性更佳，效果高達91.62%，待機功耗小于50mW，更多GaNPD快充方案、線(xiàn)路圖紙、變壓器設計、測試數據及應用要點(diǎn)等資料，可聯(lián)系：19168597394（微信同號）歡迎咨詢(xún) |
