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來(lái)源：Digi-Key 作者：Art Pini 高級駕駛輔助系統 (ADAS) 和自動(dòng)駕駛系統 (ADS) 屬安全關(guān)鍵型汽車(chē)自主駕駛系統。它們由一個(gè)或多個(gè)高級處理器組成，并會(huì )根據多個(gè)傳感器的輸入做出關(guān)鍵決策。這些處理器通常在各種低電壓水平下工作，但可能需要兩位數安培 (A) 的電流。 電源管理集成電路 (PMIC) 則用來(lái)向處理器提供多種電壓，但它們需要高可靠性的電感器來(lái)確保電力穩定。這些電感器必須能夠在高達 10 兆赫 (MHz) 的電源開(kāi)關(guān)頻率下，以低功率損耗處理大電流。電感器還需要有較高的體積效率、較小的印刷電路板尺寸和較低的外形。與自動(dòng)駕駛系統中的所有元器件一樣，它們必須滿(mǎn)足汽車(chē)行業(yè)所要求的嚴格的可靠性和安全標準，如 AEC-Q200。 本文簡(jiǎn)要介紹了ADAS/ADS 的處理要求。然后，介紹了 TDK 為這種應用專(zhuān)門(mén)設計的電感器，并說(shuō)明其獨特的特性是如何幫助確保汽車(chē)設計的穩健和安全的。 自動(dòng)駕駛系統 典型的 ADAS/ADS 會(huì )使用一個(gè)專(zhuān)門(mén)處理器，并與多個(gè)傳感器連接，以便快速做出自主駕駛所需的決策（圖 1）。 
圖 1：ADAS/ADS 中的處理器需要電源提供可靠的大電流水平和較低的電壓，且由 PMIC 提供，以便根據傳感器輸入控制車(chē)輛。（圖片來(lái)源：EPCOS-TDK） 這些處理器的電源軌電壓通常較低，約為 1 伏，但電流水平可達十幾安，會(huì )對 PMIC 造成壓力。圖 1 中的次級轉換器使用 8 個(gè)功率電感器與 PMIC 一起向處理器供電。 功率電感器是在其電磁場(chǎng)中儲存能量的無(wú)源器件，廣泛用于電源電路和 DC/DC 轉換器中。與 PMIC 一起作為降壓轉換器使用，功率電感器是影響功率轉換過(guò)程性能的關(guān)鍵元件（圖 2）。
圖 2：?jiǎn)我唤祲恨D換器的簡(jiǎn)化示意圖突現了功率電感器的作用。（圖片來(lái)源：EPCOS-TDK） 降壓轉換器產(chǎn)生的輸出電壓比輸入電壓低。在降壓轉換器中，會(huì )與輸入電壓源 (VIN) 串聯(lián)一個(gè)開(kāi)關(guān)。輸入源通過(guò)這個(gè)開(kāi)關(guān)和一個(gè)低通濾波器向輸出端饋電。濾波器由一個(gè)功率電感器和一個(gè)輸出電容實(shí)現。在穩定的工作狀態(tài)下，當開(kāi)關(guān)開(kāi)啟的時(shí)間為 TON 時(shí)，輸入驅動(dòng)輸出以及功率電感器。在這個(gè) TON 期間，VIN 和輸出電壓 (VOUT) 之間的電壓水平差正向施加到電感上，如圖 2 中“Switch On”箭頭所示。電感器電流 (IL) 線(xiàn)性上升至 Ipeak。 當開(kāi)關(guān)關(guān)閉 (TOFF) 時(shí)，由于電感器儲存的能量繼續通過(guò)換向二極管向負載提供電流，電感電流繼續沿相同的方向流動(dòng)，如圖 2 中“Switch Off”箭頭所示。在這個(gè) TOFF 期間，電感器的輸出電壓 VOUT 以相反的方向施加在它上面，電感器的電流從 Ipeak 值下降。這就產(chǎn)生了一個(gè)三角形的紋波電流。紋波電流的大小與功率電感器的電感量有關(guān)。電感值一般設置在能夠產(chǎn)生達到 20-30% 額定輸出電流的紋波電流的水平。輸出電壓將與開(kāi)關(guān)的占空比成正比。 如果負載突然增加，就會(huì )出現輸出電壓下降，導致在短時(shí)間內通過(guò)功率電感器的峰值電流異常大，從而給輸出電容充電。功率電感器的值會(huì )影響轉換器的瞬態(tài)響應：小的電感器值會(huì )加快恢復時(shí)間，大的值會(huì )增加恢復時(shí)間。 在車(chē)輛環(huán)境中，這些電感器必須滿(mǎn)足非常高的電氣和機械標準。其中最重要的是高可靠性。擬在汽車(chē)中工作的無(wú)源元件的可靠性和質(zhì)量必須達到汽車(chē)電子委員會(huì ) (AEC) 制定的標準要求。無(wú)源元件符合 AEC-Q200 標準，該標準是所有無(wú)源電子元件在用于汽車(chē)行業(yè)時(shí)必須滿(mǎn)足的全球應力耐受性標準。這些測試包括抗沖擊、振動(dòng)、濕度、溶劑、焊接熱、電路板彎曲和靜電放電 (ESD)。測試還包括暴露在極端溫度下和熱循環(huán)中的 -40°C 到 +125°C 的溫度測試。 對于汽車(chē)應用，電感器必須具有緊湊的尺寸，并且能夠在預期的汽車(chē)溫度范圍內運行。后者的能力需要較低的串聯(lián)電阻，以最大限度地減少功率損失并降低溫升。電感器還應該能夠在 PMIC 通常使用的 2 至 10 MHz 范圍的電源開(kāi)關(guān)頻率下工作，并且還能夠處理可能出現高飽和電流的高瞬態(tài)負載。 設計用于汽車(chē)的功率電感器 EPCOS-TDK 的 CLT32 系列功率電感器專(zhuān)為 ADAS/ADS 應用而設計，具有高可靠性、高額定電流、低串聯(lián)電阻、高飽和電流和小尺寸等特性（圖 3）。
圖 3：TDK CLT32 系列功率電感器具有單件式線(xiàn)圈/端子結構，使用厚銅繞組，沒(méi)有內部連接。磁性成型材料確保了軟飽和特性。（圖片來(lái)源：EPCOS-TDK） CLT32 功率電感器是圍繞著(zhù)一個(gè)一體式厚銅線(xiàn)圈形成的，采用了一個(gè)一體化的端子結構。這意味著(zhù)沒(méi)有內部連接導致不可靠的操作。厚實(shí)的銅線(xiàn)圈也使串聯(lián)電阻低至 0.39 毫歐 (mΩ) ，最大限度減少了功率損失。較低的電阻也導致了負載下產(chǎn)生的熱量較低。 線(xiàn)圈采用一種新開(kāi)發(fā)的鐵磁性塑料化合物包覆而成，形成了線(xiàn)圈的核心和外殼。即使在高溫和高頻應用中，該芯材也具有優(yōu)良的電氣特征。特別值得注意的是低磁芯損耗。此外，該材料能夠在低壓和低溫下加工，最大限度地減少了生產(chǎn)過(guò)程中對線(xiàn)圈的壓力。 與其他鐵氧體材料相比，該磁芯材料提供了軟飽和特征。由于磁飽和導致的電感變化會(huì )表示為飽和漂移，以電感變化的百分比來(lái)衡量（圖 4）。
圖 4：在對磁飽和的響應中，CLT32 磁芯表現出較低的飽和漂移，提供了一個(gè)軟響應。（圖片來(lái)源：EPCOS-TDK） CLT32 磁芯材料提供了明顯較低的因飽和引起的電感值變化，特別是在較高的溫度下。其提供的最大飽和電流高至 60 A。 整個(gè)電感器裝在一個(gè) 3.2 × 2.5 × 2.5 毫米 (mm) 的扁平封裝中。這種高體積效率意味著(zhù)可以使用多個(gè)電感器，而不必將設計轉移到更大的電路板上。電感器的額定工作溫度范圍為 -40℃ 至 +165℃。這個(gè)溫度范圍超過(guò)了上面提到的 AEC-Q200 最高測試溫度 125℃ 的要求。 如表 1 所示，TDK CLT32 功率電感器的電感值從 17 到 440 納亨 (nH)。 電感 RDC，典型值 +23°C 時(shí)的 ISAT 23°C 時(shí) Itemp 典型值 內部代碼 訂購代碼 17 nH 0.39 mΩ 60.0 A 45.0 A B82403T0170M000 CLT32-17N 42 nH 1.0 mΩ 54.0 A 28.0 A B82403T0420M000 CLT32-42N 55 nH 1.0 mΩ 39.5 A 28.0 A B82403T0550M000 CLT32-55N 80 nH 1.9 mΩ 36.0 A 20.0 A B82403T0800M000 CLT32-80N 110 nH 1.9 mΩ 29.0 A 20.0 A B82403T0111M000 CLT32-R11 150 nH 3.3 mΩ 25.4 A 15.4 A B82403T0151M000 CLT32-R15 200 nH 3.3 mΩ 20.5 A 15.4 A B82403T0201M000 CLT32-R20 310 nH 5.3 mΩ 17.5 A 12.1 A B82403T0311M000 CLT32-R31 440 nH 7.6 mΩ 13.5 A 10.1 A B82403T0441M000 CLT32-R44 表 1：表中所示為 TDK CLT32 功率電感器的指定特征及其相應的訂購代碼。所有這些全部采用同一個(gè) 3.2 × 2.5 × 2.5 mm 扁平封裝。（表格來(lái)源：EPCOS-TDK） 按照本表，RDC 是指電感器的串聯(lián)電阻。請注意，由于更高的電感量需要更多的匝數，所以電感值與匝數成正比。ISAT 基于因飽和導致的電感值減少的飽和電流，與電感值成反比。Itemp 是最大的額定電流，基于封裝中的溫升。Itemp 也與電感值成反比。 功率電感器的損耗包括與線(xiàn)圈的串聯(lián)電阻成正比的直流損耗。由于集膚效應、磁滯損失和渦流損失，還存在交流損失。渦流交流損耗與磁芯材料有關(guān)。 與其他技術(shù)相比，如薄膜或金屬復合電感器，CLT32 電感器展示出更低的紋波電流功率損失（圖 5）。
圖 5：CLT32 功率電感器比薄膜或金屬復合電感器技術(shù)具有更低的紋波電流功率損耗。（圖片來(lái)源：EPCOS-TDK） 低交流紋波損失意味著(zhù)可以容忍更高的紋波電流，允許 DC/DC 轉換器中電容值更低。 與其他類(lèi)型的電感器相比，更低的損耗也轉化為更高的效率（圖 6）。
圖 6：?jiǎn)屋敵鼋祲恨D換器中的功率電感器性能比較顯示 CLT32 功率電感器的效率更高。（圖片來(lái)源：EPCOS-TDK） 在輕度負載下，磁芯損耗主導著(zhù)功率電感器的效率。由于電阻損失，較高的負載會(huì )降低效率。在所有情況下，CLT32 功率電感器都優(yōu)于其他技術(shù)。 結語(yǔ) TDK CLT32 系列功率電感器融入了創(chuàng )新的設計理念，提供了比競爭技術(shù)更小的尺寸和更好的電氣性能，同時(shí)保證了更高的可靠性。其寬溫度范圍和寬頻率范圍使之成為下一代 ADAS/ADS 設計的理想元件。 |
