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PSRAM是采用DRAM的工藝和技術(shù)，但實(shí)現類(lèi)似SRAM一樣的RAM器件。隨著(zhù)科技發(fā)展，為了兼顧SRAM和DRAM兩者的優(yōu)點(diǎn)，即容量大,又接口驅動(dòng)簡(jiǎn)單，便發(fā)展出了PSRAM。PSRAM接口和SRAM一樣簡(jiǎn)單，驅動(dòng)簡(jiǎn)單；而存儲形式則和DRAM一樣，容量遠大于SRAM，介于SRAM和DRAM之間,現在一般是最大64MB。 PSRAM工藝和技術(shù)上實(shí)現大容量低成本的特性；在IO協(xié)議上采用了類(lèi)似SRAM的接口協(xié)議，并且將刷新電路改成內部自行刷新，不需要像DRAM那樣使用controller來(lái)控制內存單元做定期刷新，所以接口相比DRAM而言也簡(jiǎn)單許多。 PSRAM更適用于有一定緩存容量要求，速度較快，功耗較低，性?xún)r(jià)比要求高的應用需求中，如數據密集，算法處理（FFT等），突發(fā)存取等應用場(chǎng)景。其應用涵蓋手機、PDA、兒童玩具、MP3/4播放器、智能手表、智能語(yǔ)音交互設備等消費電子產(chǎn)品。 我司英尚微提供的串行PSRAM存儲器件，該器件有SPI,QPI接口，支持單片機SPI,QPI接口，該RAM可配置為1位輸入和輸出獨立接口或4位I/O通用接口。所有必要的刷新操作都由設備本身負責。具有封裝小，容量大，成本低的優(yōu)勢。該產(chǎn)品是低成本低功耗高容量的ram資源外擴的存儲解決方案。 |
