全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向數據服務(wù)器等工業(yè)設備和AC適配器等消費電子設備的一次側電源*1，開(kāi)發(fā)出集650V GaN HEMT*2和柵極驅動(dòng)用驅動(dòng)器等于一體的Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”（BM3G015MUV-LB、BM3G007MUV-LB）。
近年來(lái)，為了實(shí)現可持續發(fā)展的社會(huì )，對消費電子和工業(yè)設備的電源提出了更高的節能要求。針對這種需求，GaN HEMT作為一種非常有助于提高功率轉換效率和實(shí)現器件小型化的器件被寄予厚望。然而，與Si MOSFET相比，GaN HEMT的柵極處理很難，必須與驅動(dòng)柵極用的驅動(dòng)器結合使用。在這種市場(chǎng)背景下，ROHM結合所擅長(cháng)的功率和模擬兩種核心技術(shù)優(yōu)勢，開(kāi)發(fā)出集功率半導體——GaN HEMT和模擬半導體——柵極驅動(dòng)器于一體的Power Stage IC。該產(chǎn)品的問(wèn)世使得被稱(chēng)為“下一代功率半導體”的GaN器件輕輕松松即可實(shí)現安裝。 新產(chǎn)品中集成了新一代功率器件650V GaN HEMT、能夠更大程度地激發(fā)出GaN HEMT性能的專(zhuān)用柵極驅動(dòng)器、新增功能以及外圍元器件。另外，新產(chǎn)品支持更寬的驅動(dòng)電壓范圍（2.5V～30V），擁有支持一次側電源各種控制器IC的性能，因此可以替換現有的Si MOSFET（Super Junction MOSFET*3／以下簡(jiǎn)稱(chēng)“Si MOSFET”）。與Si MOSFET相比，器件體積可減少約99%，功率損耗可降低約55%，因此可同時(shí)實(shí)現更低損耗和更小體積。 新產(chǎn)品已于2023年6月開(kāi)始量產(chǎn)（樣品價(jià)格4,000日元/個(gè)，不含稅）。另外，新產(chǎn)品及對應的三款評估板（BM3G007MUV-EVK-002、BM3G007MUV-EVK-003、BM3G015MUV-EVK-003）已開(kāi)始網(wǎng)售，在A(yíng)meya360等電商平臺可購買(mǎi)�！ � |
