|
DWC3模塊特點(diǎn) 1. 采用真空回流焊工藝，AlSiC底板+低熱值AlN絕緣陶瓷，最高工作結溫175℃； 2. 第三代模塊寄生電感低于10nH，比現有模塊小50%以上，降低開(kāi)關(guān)損耗； 3. 適用高溫、高頻應用，超低損耗； 4. 集成NTC溫度傳感器，易于系統集成。 
DWC3碳化硅模塊ASC300N-ASC400N-ASC600N-ASC700N電壓1200V和1700V風(fēng)冷液冷散熱.zip
(6.52 MB)
|
| 電控上用很好 |
| DWC3模塊 電機控制的最好搭檔 |
| 碳化硅MOS管650V-1200V-1700V-3300V-6500V。 - 電子工程網(wǎng) http://selenalain.com/thread-821142-1-1.html |
碳化硅MOS驅動(dòng)設計及特點(diǎn)(SiC MOSFET) -知乎https://zhuanlan.zhihu.com/p/657391957  |
|
Eways-SiC 發(fā)表于 2025-3-11 11:21:22 碳化硅MOS驅動(dòng)設計及特點(diǎn)(SiC MOSFET) -知乎https://zhuanlan.zhihu.com/p/657391957 |
