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IBM近日表示，美光的混合存儲立方體(HMC)將成為第一個(gè)采用IBM TSV(through-silicon via；過(guò)孔硅)工藝的商業(yè)化CMOS制造技術(shù)。 IBM在一份聲明中稱(chēng)，IBM的3D芯片制程TSV芯片制造技術(shù)能使美光的混合式存儲立方體的傳輸速度達到當前技術(shù)的15倍。該產(chǎn)品部分組件將會(huì )在IBM位于紐約的晶圓廠(chǎng)生產(chǎn)，使用該公司32納米high-K金屬柵極工藝制造。IBM將會(huì )在12月5日于美國華盛頓舉行的IEEE國際電子裝置會(huì )議上展示它的TSV工藝技術(shù)。 美光的混合式存儲立方為DRAM封裝的一項突破，它的基本理念是將芯片層層疊起，較當前技術(shù)用到更多且速度更快的數據通路。 其最初的原型能以每秒128GB的速率執行，未來(lái)技術(shù)成熟后速率會(huì )更高，而目前的存儲器芯片的速率為12.8GB/s。此外，HMC使用的電力也減少了70%。 |
