碳化硅（SiC）功率器件領(lǐng)域的市場(chǎng)領(lǐng)先者科銳公司（Nasdaq: CREE）將繼續引領(lǐng)高效率電子電力模組變革，宣布推出業(yè)界首款符合全面認證的可應用于電力電子模組的裸芯片型及芯片型碳化硅MOSFET功率器件�？其J碳化硅ZFET™ MOSFET器件和二極管適用于高階電力電子電路，與傳統硅器件相比，可實(shí)現更高的能源效率。
科銳副總裁兼功率和射頻（RF）產(chǎn)品研發(fā)部門(mén)總經(jīng)理Cengiz Balkas表示：“隨著(zhù)全面符合標準的碳化硅MOSFET作為未封裝芯片的運用，電源模組制造商能夠充分了解到碳化硅器件的性能優(yōu)勢 - 實(shí)現更好的高溫操作條件，更高的開(kāi)關(guān)頻率以及更低的開(kāi)關(guān)損耗，并且能夠擺脫傳統分立器件塑料封裝所帶來(lái)的局限。電力電子模組中碳化硅功率器件的設計優(yōu)勢在于能夠以更少的器件實(shí)現更高的電流和電壓，從而實(shí)現最大功率密度以及更高的可靠性�！� Balkas同時(shí)表示：“電源模組制造商可將科銳1200V MOSFET功率器件和肖特基二極管以芯片的形式相結合，創(chuàng )造一個(gè)專(zhuān)為超高功效電力電子系統而設計的‘全碳化硅’模組。這些新型模組能夠充分體現碳化硅材料優(yōu)勢，可實(shí)現零反向恢復損耗、不受溫度影響的開(kāi)關(guān)、低電磁干擾下高頻運行，以及更高電子雪崩能力，其開(kāi)關(guān)頻率較傳統以硅為材料的解決方案可高出5倍至8倍。在更高開(kāi)關(guān)頻率下可使用較小磁性和電容性的元件，從而可以縮減系統體積、降低重量和成本�！� 科銳新型MOSFET系列功率器件目前已發(fā)布兩個(gè)型號CPMF-1200-S080B封裝尺寸為4.08 mm × 4.08 mm，額定電壓/電流為1200 V / 20 A，標準導通電阻為80 mΩ；CPMF-1200-S160B的封裝尺寸為3.1 mm × 3.1 mm，額定電壓/電流為1200 V / 20 A，標準導通電阻為160 mΩ。兩款器件的工作結溫均為-55 °C至+135 °C。 科銳兩款1200V MOSFET裸芯片已經(jīng)發(fā)布并能夠量產(chǎn)使用，客戶(hù)可通過(guò)科銳以及科銳無(wú)線(xiàn)射頻（RF）代理商Semi Dice了解器件的供貨情況�？其J已發(fā)布產(chǎn)品說(shuō)明以及包括對芯片鍵合等詳細的設計指導建議，以幫助電源模組制造商使用新器件并優(yōu)化設計。同時(shí)，科銳十分愿意為客戶(hù)提供碳化硅MOSFET器件模型以幫助其進(jìn)行初期模擬仿真及評估。如欲下載科銳模型，敬請訪(fǎng)問(wèn)： www.cree.com/power/mosfet_model_req.asp. 如需索取樣品及進(jìn)一步了解科銳碳化硅功率器件的更多詳情，敬請訪(fǎng)問(wèn)： www.cree.com/power。 在過(guò)去20多年中，科銳一直是碳化硅 MOSFET領(lǐng)域公認的領(lǐng)先者，擁有超過(guò)50項碳化硅MOSFET技術(shù)專(zhuān)利，同時(shí)還有多項專(zhuān)利正在申請中。 |
