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IPM即Intelligent Power Module(智能功率模塊)的縮寫(xiě)，它是通過(guò)優(yōu)化設計將IGBT連同其驅動(dòng)電路和多種保護電路封裝在同一模塊內，使電力變換裝置的設計者從繁瑣的IGBT驅動(dòng)和保護電路設計中解脫出來(lái)，大大降低了功率半導體器件的應用難度，縮短了設計周期，同時(shí)提高了系統的可靠性。適用于智能功率模塊(IPM)的隔離接口。這些光電耦合器提供優(yōu)異的共模瞬態(tài)抗擾度，以防止在電噪聲環(huán)境中誤操作。 
圖片來(lái)源：無(wú)版權圖庫 - Pixabay 采用功率開(kāi)關(guān)器件IGBT（絕緣柵雙極型晶體管），具有GTR(大功率晶體管)高電流密度、低飽和電壓和耐高壓的優(yōu)點(diǎn)，以及MOSFET(場(chǎng)效應晶體管)高輸入阻抗、高開(kāi)關(guān)頻率和低驅動(dòng)功率的優(yōu)點(diǎn)。IPM內部集成了邏輯、控制、檢測和保護電路，使用方便，不僅減小了系統的體積以及開(kāi)發(fā)時(shí)間，也大大增強了系統的可靠性，適應了當今功率器件的發(fā)展方向——模塊化、復合化和功率集成電路(PIC)，在電力電子領(lǐng)域得到越來(lái)越廣泛的應用。 IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優(yōu)選的門(mén)級驅動(dòng)及保護電路構成。其中，IGBT是GTR和MOSFET的復合，由MOSFET驅動(dòng)GTR，因而IGBT具有兩者的優(yōu)點(diǎn)。IPM根據內部功率電路配置的不同可分為四類(lèi):H型(內部封裝一個(gè)IGBT)、D型(內部封裝兩個(gè)IGBT)、C型(內部封裝六個(gè)IGBT)和R型(內部封裝七個(gè)IGBT)。小功率的IPM使用多層環(huán)氧絕緣系統，中大功率的IPM使用陶瓷絕緣。 IPM內置的驅動(dòng)和保護電路使系統硬件電路簡(jiǎn)單、可靠，縮短了系統開(kāi)發(fā)時(shí)間，也提高了故障下的自保護能力。與普通的IGBT模塊相比，IPM在系統性能及可靠性方面都有進(jìn)一步的提高。保護電路可以實(shí)現控制電壓欠壓保護、過(guò)熱保護、過(guò)流保護和短路保護。如果IPM模塊中有一種保護電路動(dòng)作，IGBT柵極驅動(dòng)單元就會(huì )關(guān)斷門(mén)極電流并輸出一個(gè)故障信號(FO)。 光電耦合器（optical coupler，英文縮寫(xiě)為OC）亦稱(chēng)光電隔離器，簡(jiǎn)稱(chēng)光耦。光電耦合器以光為媒介傳輸電信號。它對輸入、輸出電信號有良好的隔離作用，所以，它在各種電路中得到廣泛的應用。目前它已成為種類(lèi)較多、用途較廣的光電器件之一。
推薦一款由工采網(wǎng)代理的來(lái)自臺灣美祿的光耦合器，光耦 - MPH480，該系列快速速度光耦合器包含一個(gè)LED和光電探測器，內置施密特觸發(fā)器，以提供邏輯兼容的波形，消除了額外的波整形的需要。圖騰柱輸出消除了對拉上電阻的需要，并允許直接驅動(dòng)智能電源模塊或門(mén)驅動(dòng)。較小化器件之間的傳播延遲差異使這些光耦器通過(guò)減少開(kāi)關(guān)死時(shí)間來(lái)提高逆變器效率的極好解決方案。 光電耦合器 - MPH480的特點(diǎn)： 正輸出類(lèi)型（圖騰柱輸出） 真值表保證： VCC從4.5V到30V 在工業(yè)溫度范圍內為通用IPM應用程序指定的性能 較小脈沖寬度失變（PWD） 極高的共模排斥率（CMR） 光耦合器屬光電器件中之一環(huán)，系一發(fā)光及受光元件的組合體，借由光的傳輸達到導通的要求，為一理想的絕緣體，因此在許多電子電器產(chǎn)品上，皆采用此器件作為【高壓隔離】用途。發(fā)光器件通常為發(fā)光二極體，受光器件通常在低階產(chǎn)品為光二級管/光三級管/光晶閘管，高階產(chǎn)品為光耦合積體電路。 臺灣美祿在光耦合器領(lǐng)域頗有建樹(shù)，技術(shù)以及產(chǎn)品方面已經(jīng)很完善，如果想了解更多光耦合器的技術(shù)資料，歡迎致電聯(lián)系：133 9280 5792(微信同號)
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