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10月13日，譽(yù)鴻錦半導體在深圳國際會(huì )展中心（寶安新館）隆重舉行了氮化鎵（GaN）器件品牌發(fā)布會(huì )，暨譽(yù)鴻錦2023年度GaN功率電子器件及招商發(fā)布會(huì )活動(dòng)。 借此，我們注意到這家一亮相便驚艷四座的GaN賽道的“掃地僧”——在氮化鎵行業(yè)長(cháng)期耕耘、專(zhuān)注專(zhuān)精、做深做細、低調沉潛的形象，恰如金庸筆下武功深不可測而又難掩鋒芒的無(wú)名僧人。 隨著(zhù)下游市場(chǎng)需求爆發(fā)，第三代半導體逐漸駛進(jìn)黃金賽道，譽(yù)鴻錦半導體入場(chǎng)GaN賽道便帶著(zhù)一份令人驚嘆的成績(jì)單：“僅用1.5年時(shí)間從建廠(chǎng)到中試線(xiàn)穩定產(chǎn)能達到1.5萬(wàn)片；7天完成外延至成品器件的周期；量產(chǎn)平均良率達到85%；研發(fā)周期和建線(xiàn)成本較行業(yè)減少2/3...” 那么，譽(yù)鴻錦是如何在如此短的時(shí)間內，就實(shí)現了高效、超高良率、低成本的氮化鎵國產(chǎn)化建設？讓我們一起探究這家國產(chǎn)GaN賽道“掃地僧”背后的故事和產(chǎn)業(yè)抱負。 譽(yù)鴻錦董事長(cháng)閆懷寶 為解氮化鎵普及率低 譽(yù)鴻錦發(fā)起一場(chǎng)“產(chǎn)業(yè)效率革命” 正視現狀讓人清醒。 第三代化合物半導體前景廣闊，為霞尚滿(mǎn)天。然而，其市場(chǎng)普及率仍然非常低，與硅基器件相比存在數量級差距。 從材料成本來(lái)說(shuō)，氮化鎵（GaN）器件并不比硅基器件昂貴。譽(yù)鴻錦分析了氮化鎵滲透率依然低的原因：并不是很多人所認為的氮化鎵器件規模仍然不足，導致成本均攤困難。本質(zhì)問(wèn)題出現在產(chǎn)業(yè)效率上，只有把系統效率提升，才能用更低的成本推動(dòng)器件的大規模應用。 曾幾何時(shí)，器件研發(fā)從流片、封測到驗證等環(huán)節要等數月甚至數年之久，空轉成本可達 2000 多萬(wàn)元，如果將原本 1 年或 1 個(gè)月的研發(fā)生產(chǎn)周期流程壓縮到 7 天，對整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈意義不言而喻。 氮化鎵器件實(shí)現大規模應用的關(guān)鍵是“物美價(jià)廉”，便宜的前提是要大幅提高生產(chǎn)效率。 譽(yù)鴻錦半導體正是從這個(gè)角度開(kāi)始解題，提出 “產(chǎn)業(yè)效率革命 = 高良率 x IDM 整合 x 高研發(fā)效率 x 設備降本 x 快速應用驗證”，希望從產(chǎn)業(yè)鏈全維度來(lái)加速氮化鎵器件的降本，以及大規模應用普及。 無(wú)論是從 IDM 產(chǎn)線(xiàn)構建，還是量產(chǎn)節奏，以及供應周期來(lái)看，“高效” 是譽(yù)鴻錦現階段進(jìn)入市場(chǎng)的核心競爭力之一。在目前月產(chǎn) 1.5 萬(wàn)片的中試線(xiàn)之后，據譽(yù)鴻錦品牌戰略官張雷透露，目前譽(yù)鴻錦的月產(chǎn)能已經(jīng)做到了國內實(shí)際上的產(chǎn)能第一，正在建設的二期線(xiàn)將會(huì )在今年年底封頂。二期線(xiàn)建成投產(chǎn)后，產(chǎn)能將會(huì )達到每月 25 萬(wàn)片，屆時(shí)可能成為全球最大的氮化鎵 IDM 工廠(chǎng)。 譽(yù)鴻錦發(fā)起的這一場(chǎng)“產(chǎn)業(yè)效率革命”，是希望從產(chǎn)業(yè)鏈全維度來(lái)加速氮化鎵器件的降本。 登高而招，順風(fēng)而呼，頗有產(chǎn)業(yè)戰略野心。 成本減少2/3 Super IDM產(chǎn)業(yè)集群新模式 據了解，譽(yù)鴻錦首創(chuàng )能夠讓氮化鎵實(shí)現產(chǎn)業(yè)效率革命的 Super IDM 產(chǎn)業(yè)集群生態(tài)模式：Super IDM產(chǎn)業(yè)集群 = 上游設備材料 + IDM +終端技術(shù)應用+ 零售服務(wù)生態(tài)鏈”，是包括設備&材料端、自主全流程IDM、銷(xiāo)售與技術(shù)服務(wù)體系群以及終端產(chǎn)品應用生態(tài)鏈的Super IDM產(chǎn)業(yè)集群概念。 譽(yù)鴻錦品牌戰略官張雷 憑借 85% 平均量產(chǎn)良率獲得高一致性器件，譽(yù)鴻錦實(shí)現了高集成度 IDM-7 天制造周期、高研發(fā)效率使時(shí)間縮短 2/3，自研設備和設備國產(chǎn)化使成本降低 2/3。 譽(yù)鴻錦董事長(cháng)閆懷寶在發(fā)布會(huì )上自信地表示：“這在整個(gè)業(yè)界是基本上不可被復制的”，而量產(chǎn)速度，僅僅是冰山一角。 據了解，譽(yù)鴻錦擁有在行業(yè)里數量最多、工序最為齊全的設備產(chǎn)線(xiàn)。除此之外，譽(yù)鴻錦還具備正向的設備調試和組裝能力。譽(yù)鴻錦半導體在創(chuàng )立之初就組建了產(chǎn)業(yè)奠基人邵春林博士為首的的技術(shù)團隊�；贙now-How的正向研發(fā)能力，根據目標需求自由選擇甚至開(kāi)拓新的技術(shù)路線(xiàn)，并實(shí)現快速制樣和驗證，提升氮化鎵良率；以及短時(shí)間內開(kāi)發(fā)出國內先進(jìn)的MOCVD設備。 Super IDM 產(chǎn)業(yè)集群的深度耦合，可以實(shí)現上游設備自主可控、成本下降，IDM環(huán)節極致效率，應用終端快速導入和批量驗證，從而實(shí)現推動(dòng)氮化鎵產(chǎn)業(yè)快速普及的產(chǎn)業(yè)目標。 發(fā)布全功率段器件 繪就產(chǎn)業(yè)合作新“藍圖” 值得一提的是，譽(yù)鴻錦發(fā)布了從 100V-650V-900~1200V 的全功率段器件，能應用于多種電力電子領(lǐng)域。其中，譽(yù)鴻錦正式發(fā)布的行業(yè)首個(gè)氮化鎵SBD器件，以及900V藍寶石基氮化鎵晶圓的實(shí)物展示引起了行業(yè)的重點(diǎn)關(guān)注。 其中1200V/85mΩ的氮化鎵MOSFET在今年第四季度就可以送樣，并且1700V的氮化鎵器件也即將會(huì )推出。 與國際頭部友商相比，譽(yù)鴻錦的功率器件可以做到海外廠(chǎng)商價(jià)格的幾分之一。而且譽(yù)鴻錦的氮化鎵器件將以硅器件的價(jià)格為目標，推動(dòng)氮化鎵對硅的加速替代。 目前，譽(yù)鴻錦實(shí)現了極低外延翹曲控制、均勻性的GaN層厚度以及精準可控的載流子調控等自主關(guān)鍵技術(shù)能力。具備在氮化鎵、硅、碳化硅和藍寶石襯底上外延生長(cháng)氮化鎵材料的技術(shù)矩陣，以及功率電子、激光與顯示、射頻全產(chǎn)品能力。 譽(yù)鴻錦在終端產(chǎn)品生態(tài)鏈平臺上，已經(jīng)具備儲能充電、電動(dòng)出行、激光顯示應用等產(chǎn)品品牌。在現場(chǎng)簽約環(huán)節，譽(yù)鴻錦半導體與行業(yè)top的應用型大學(xué)“東莞理工”國際微電子學(xué)院就共建人才培養和產(chǎn)業(yè)共創(chuàng )平臺項目簽署了戰略合作協(xié)議。同時(shí)也同“大族激光”旗下的“大族機器人”簽署了氮化鎵電機研發(fā)與應用的產(chǎn)業(yè)合作戰略協(xié)議。 結語(yǔ) GaN圈“掃地僧”譽(yù)鴻錦，已經(jīng)造就了國產(chǎn)氮化鎵行業(yè)的一份驚喜——不知不覺(jué)，不可或缺。經(jīng)由GaN產(chǎn)業(yè)鏈加碼布局，譽(yù)鴻錦半導體已蓄崛起之勢，有望成為國內首屈一指的集研發(fā)、制造、封測及銷(xiāo)售為一體的全產(chǎn)業(yè)鏈半導體整合設備生產(chǎn)模式企業(yè)，冀未來(lái)實(shí)現國有替代技術(shù)突圍。 譽(yù)鴻錦表示，他們希望憑借更好的器件良率和一致性，以更少更高的規格實(shí)現全場(chǎng)景需求和優(yōu)勢成本覆蓋，兼顧高性能和低成本的方式推動(dòng)氮化鎵器件全面普及，以實(shí)現譽(yù)鴻錦“用氮化鎵半導體改變每個(gè)人的生活”的產(chǎn)業(yè)理想。 掃堂亮招者，起于三寸方圓，以就萬(wàn)仞之深。期待默默投入，堅持長(cháng)期主義的譽(yù)鴻錦亮出更多寶藏。 |
