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高速先生成員--黃剛 當然這篇文章也還是針對高速信號的交流耦合電容，并不是用于電源的去耦電容，同時(shí)文章的靈感也來(lái)源于上一篇文章講不同容值電容對高速信號原理上的效果差異。為什么我們在做高速設計的時(shí)候，速率越高，希望電容封裝越小，無(wú)非就是電容的焊盤(pán)越小，阻抗是越好優(yōu)化的，同時(shí)我們也能很容易的注意到封裝越小，對應的電容體也會(huì )越小，0402和0201在PCB的封裝的確還是相差不小的！ 為什么這篇文章的靈感是來(lái)源于上一篇文章呢？因為上篇文章Chris不是從原理上分析了不同容值大小的電容對信號的影響嗎？然后他就找到了一塊之前做過(guò)的測試板，上面有一個(gè)0402的電容封裝測試夾具，也就是允許我們把不同的電容焊上去來(lái)測試各種無(wú)源的指標，例如TDR阻抗，還有回波損耗等等，就是下圖的測試夾具了哈！ 然后Chris在實(shí)驗室拿出放著(zhù)不同電容的密封袋出來(lái)，打算從里面都是0402封裝的不同容值的電容條里各拿幾個(gè)出來(lái)，看看焊上去測試是不是也能還原上篇文章的效果。由于非常的小，肉眼不靠近都看不清楚，于是Chris就叫上了組內的焊接能手小杰幫忙焊接。同樣，Chris讓小杰先焊上一個(gè)上篇文章說(shuō)過(guò)的1nf的0402封裝電容上去，Chris都還沒(méi)回過(guò)神，小杰刷刷兩下焊好了。然后Chris拿去儀器一測，恩，果然是和原理是對應的，在很低頻段的位置是有明顯的損耗跌落！然后作為對比，再讓小杰拿出來(lái)一個(gè)0.22uf的電容來(lái)進(jìn)行比較。恩，0.22uf的電容就不會(huì )出現低頻跌落的現象，總算在測試上和前面的理論驗證能夠對上了。 本來(lái)Chris也只是想驗證這個(gè)小電容的直流跌落問(wèn)題，弄完后正打算收拾實(shí)驗室的東西準備走人，猛地看到桌面上還放著(zhù)其他不同容值的電容，同時(shí)看到小杰也一副躍躍欲焊的感覺(jué)，Chris于是就讓小杰再焊幾個(gè)不同容值的電容唄。 Chris不經(jīng)意的看到小杰拿出了一個(gè)0402里算是很大容值的電容---10uf的時(shí)候，雖然它看起來(lái)還是很小很小，但是總感覺(jué)它好像比前面的電容更大一點(diǎn)點(diǎn)，通過(guò)Chris肉眼看到的和1nf還有0.22uf的直觀(guān)對比就像下面這樣。 這么小，真的不知道看得準不準，的確大小上是有點(diǎn)差異，拿出實(shí)驗室的放大鏡一看，就清晰了。震驚的發(fā)現，同樣都是0402封裝的電容，容值不同，電容體本身的大小竟然是不同的�。�！ 那會(huì )影響什么呢？相信這次Chris不說(shuō)，大家也應該知道，我們分別再測試下這三個(gè)電容的TDR阻抗，結果果然驗證了Chris的猜想。 可以看到，不同電容焊上去夾具之后，電容位置的阻抗差異還是灰常的大哈！既然TDR差異大，對應的回波損耗肯定也是一樣的咯。 雖然從原理上來(lái)講電容用在高速串行鏈路上的作用都是隔斷直流，上篇文章看到了不同電容容值的影響，這篇文章又發(fā)現了同樣封裝不同容值電容對SI性能的差異，看來(lái)一個(gè)原理那么簡(jiǎn)單的器件，實(shí)際上在應用上還是有很多講究（坑）的哈。Chris用力看了一天的小電容了，也累了，今天的文章就講到這里了哈！ |
