有助于處理器封裝小型化和逐步高頻化的電路設計 
株式會(huì )社村田制作所（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“村田”）已開(kāi)發(fā)出面向汽車(chē)ECU（電子控制單元）中使用的處理器、超�。�0.5mm×1.0mm）且超薄(2)的LW逆轉低ESL片狀多層陶瓷電容器(3)“LLC15SD70E105ME01”（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“本產(chǎn)品”），并于9月開(kāi)始量產(chǎn)。 (1) 本公司調查結果。截至2023年10月25日。 (2) T尺寸標準值：0.16 ± 0.02 mm（厚度為最大0.18 mm）。 (3) 與普通多層陶瓷電容器不同，該電容器通過(guò)在貼片寬度較窄方向的兩端形成外部電極、縮短電極之間的距離并加寬電極寬度來(lái)實(shí)現低ESL。 近年來(lái)，隨著(zhù)ADAS（高級駕駛員輔助系統）和無(wú)人駕駛的進(jìn)步，每輛汽車(chē)中配備的處理器數量不斷增加，為確保其正常工作而配備的多層陶瓷電容器的數量也在增加。在這種趨勢下，為了減少面積并提高可靠性，面向汽車(chē)的多層陶瓷電容器通過(guò)小型化、大容量化及低ESL(4)化來(lái)改善高頻特性的需求不斷增加。 (4) ESL（Equivalent Series Inductance）：等效串聯(lián)電感。 ESL是電容器在高頻時(shí)的主要阻抗成分，降低電容器的ESL有助于改善電子電路的高頻特性。 村田利用特有的、通過(guò)陶瓷及電極材料的微�；�、均質(zhì)化實(shí)現的薄層成型技術(shù)和高精度層壓技術(shù)，在0.5mm x 1.0mm尺寸的LW逆轉低ESL片狀多層陶瓷電容器中率先實(shí)現了超薄的0.18mm(最大值)和1.0uF的容量。它比現有產(chǎn)品更薄，因此可以直接安裝在處理器封裝的背面和主電路板上更狹窄的空間中，有助于處理器封裝的進(jìn)一步小型化。此外，通過(guò)將電容器安裝在處理器封裝的背面，電容器和處理器晶片之間的距離比以前的側面配置更近，因此可以進(jìn)一步降低阻抗，幫助實(shí)現設計高頻特性更好的電路。 普通獨石陶瓷電容器（左）與LW逆轉電容器（右）的結構：
貼裝于處理器封裝背面的示意圖：
村田今后將繼續致力于開(kāi)發(fā)滿(mǎn)足市場(chǎng)需求的產(chǎn)品、擴大產(chǎn)品陣容，為汽車(chē)的高性能化和高功能化做貢獻。 主要規格
產(chǎn)品網(wǎng)站 本產(chǎn)品的詳情請參閱LW逆轉低ESL多層陶瓷電容器“LLC15SD70E105ME01”。 由此參閱LLC系列的詳情。 |
