|
1、GaAs MMIC I/Q上變頻器，21 - 27 GHz（HMC815BLC5TR） HMC815B是一款緊湊的砷化鎵(GaAs)、假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)、單芯片微波集成電路(MMIC)上變頻器，采用符合RoHS標準的封裝，工作頻率范圍為21 GHz至27 GHz。該器件提供12 dB的小信號轉換增益和20 dBc的邊帶抑制性能。HMC815B采用驅動(dòng)放大器工作，前接由有源2×乘法器驅動(dòng)LO的同相正交(I/Q)混頻器。還提供IF1和IF2混頻器輸入，需通過(guò)外部90°混合選擇所需的邊帶。I/Q混頻器拓撲結構則降低了干擾邊帶濾波要求。 
規格：RF 混頻器 IC 通用 升頻器 21GHz ~ 27GHz 32CLCC 射頻類(lèi)型：通用 頻率：21GHz ~ 27GHz 混頻器數：2 增益：12dB 噪聲系數：- 輔助屬性：升頻器 電流 - 供電：270mA 電壓 - 供電：5.5V 安裝類(lèi)型：表面貼裝型 封裝/外殼：32-TFCQFN 裸露焊盤(pán) 供應商器件封裝：32-CLCC（5x5） 基本產(chǎn)品編號：HMC815 應用 •點(diǎn)到點(diǎn)及點(diǎn)到多點(diǎn)無(wú)線(xiàn)電 •軍用雷達、電子戰和電子情報 •衛星通信 •傳感器 2、HMC798ALC4TR 24 GHz至34 GHz、GaAs、MMIC、次諧波SMT混頻器 HMC798ALC4是一款集成LO放大器的24 GHz至34 GHz次諧波(×2) MMIC混頻器，采用符合RoHS標準的無(wú)鉛LCC封裝。HMC798ALC4可用作頻率范圍為24 GHz至34 GHz的上變頻器或下變頻器。
應用 •微波和甚小孔徑終端(VSAT)無(wú)線(xiàn)電 •測試設備 •點(diǎn)對點(diǎn)無(wú)線(xiàn)電 •衛星通信(SATCOM) •軍事電子戰(EW)、電子對抗(ECM)、以及指揮、控制、通信和情報(C3I) 產(chǎn)品特性 單正電源：5 V (97 mA) 轉換損耗：10 dB（典型值，24 GHz至30 GHz時(shí)），10.5 dB（典型值，30 GHz至34 GHz時(shí)）（上變頻器） 輸入IP3：17.5 dBm（典型值，24 GHz至30 GHz時(shí)），20 dBm（典型值，30 GHz至34 GHz時(shí)）（上變頻器） 2 × LO至RF隔離：36 dB（典型值，30 GHz至34 GHz時(shí)） 寬IF帶寬：DC至4 GHz LO驅動(dòng)電平：4 dBm輸入 次諧波2 × LO 符合RoHS標準的24引腳、3.90 mm × 3.90 mm、LCC陶瓷封裝 3、HMC129ALC4TR GaAs MMIC雙平衡混頻器，4至8GHz HMC129ALC4是一款通用型雙平衡單芯片微波集成電路(MMIC)混頻器，采用符合RoHS標準的無(wú)引腳無(wú)鉛LCC封裝，在4 GHz至8 GHz工作頻段內可用作上變頻器或下變頻器。HMC129ALC4非常適合需要小尺寸，無(wú)需直流偏置和穩定IC性能的應用。該混頻器可在9 dBm至18 dBm的寬LO驅動(dòng)輸入范圍內工作。用作雙相調制器或解調器時(shí)性能同樣出色。HMC129ALC4無(wú)需線(xiàn)焊，可以使用表貼制造技術(shù)。 優(yōu)勢和特點(diǎn) 轉換損耗：7 dB LO至RF和IF隔離：40 dB 輸入IP3：17 dBm 符合RoHS標準的24引腳、4 mm × 4 mm LCC封裝 應用 •微波和甚小孔徑終端(VSAT)無(wú)線(xiàn)電 •測試設備 •軍事電子戰(EW)、電子對抗(ECM)、以及指揮、控制、通信和情報(C3I) 注：本文部分內容與圖片來(lái)源于網(wǎng)絡(luò )，版權歸原作者所有。如有侵權，請聯(lián)系刪除！ 明佳達電子、星際金華（供求）【射頻和無(wú)線(xiàn)】HMC815BLC5TR、HMC798ALC4TR、HMC129ALC4TR混頻器可用于無(wú)線(xiàn)電 |
