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來(lái)源：IT之家 佳能今年 10 月宣布 FPA-1200NZ2C，這是一款納米壓印光刻（NIL）半導體設備。 佳能社長(cháng)御手洗富士夫近日表示，納米壓印光刻技術(shù)的問(wèn)世，為小型半導體制造商生產(chǎn)先進(jìn)芯片開(kāi)辟了一條新的途徑。 佳能半導體設備業(yè)務(wù)經(jīng)理巖本和德表示，納米壓印光刻是指將帶有半導體電路圖案的掩模壓印在晶圓上，只需一個(gè)印記，就可以在適當的位置形成復雜的 2D 或 3D 電路圖案，因此只需要不斷改進(jìn)掩模，甚至能生產(chǎn) 2nm 芯片。 
據報道，佳能的納米壓印光刻技術(shù)能夠產(chǎn)生至少 5 納米工藝尺寸的芯片，在目前由 ASML 主導的先進(jìn)半導體制造設備市場(chǎng)，佳能的這項技術(shù)可以不斷縮小和 ASML 的差距。 巖本和德在設備成本上表示，由于客戶(hù)成本都不相同，單個(gè)壓印工藝的估計成本最低可以達到傳統光刻設備工藝的一半。 IT之家今年 11 月報道，御手洗富士夫表示：“NIL 產(chǎn)品的價(jià)格比 ASML 的 EUV 少 1 位數”。 佳能與日本印刷綜合企業(yè)大日本印刷株式會(huì )社（Dai Nippon Printing Co.）以及存儲芯片制造商鎧俠控股（Kioxia Holdings Corp.）合作研究納米壓印技術(shù)已有近十年的時(shí)間。 與通過(guò)反射光工作的極紫外光刻技術(shù)不同，佳能研究的納米壓印技術(shù)是將電路圖案直接印在晶圓上，從而制造出據稱(chēng)幾何形狀與最先進(jìn)節點(diǎn)相當的芯片，但速度要慢得多。 這種新設備有望讓芯片制造商降低對芯片代工廠(chǎng)的依賴(lài)，同時(shí)也讓臺積電和三星電子等芯片代工廠(chǎng)更有可能批量生產(chǎn)芯片。佳能表示，這種機器所需功率只有 EUV 同類(lèi)產(chǎn)品的十分之一。 佳能此前一直專(zhuān)注于制造普通芯片，2014 年開(kāi)始大力投資納米印記技術(shù)，收購了主攻納米壓印技術(shù)的分子壓模公司 (Molecular Imprints Inc.)。作為臺積電的供應商之一，佳能正在東京北部的宇都宮市建設 20 年來(lái)的第一家光刻設備新工廠(chǎng)，將于 2025 年投產(chǎn)。 巖本和德在接受日經(jīng)采訪(fǎng)時(shí)表示，佳能目前收到了來(lái)自半導體制造商、大學(xué)和研究機構的大量詢(xún)問(wèn)，客戶(hù)預估該技術(shù)可以作為 EUV 的替代品，有望生產(chǎn)包括閃存、個(gè)人計算機的 DRAM 和邏輯 IC 等各種半導體。 |
