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來(lái)源：IT之家 據 Tom's Hardware 報道，在本月舉行的 IEDM 2023 會(huì )議上，臺積電制定了提供包含 1 萬(wàn)億個(gè)晶體管的芯片封裝路線(xiàn)，這一計劃與英特爾去年透露的規劃類(lèi)似。 當然，1 萬(wàn)億晶體管是來(lái)自單個(gè)芯片封裝上的 3D 封裝小芯片集合，但臺積電也在致力于開(kāi)發(fā)單個(gè)芯片 2000 億晶體管。 為了實(shí)現這一目標，該公司重申正在致力于 2nm 級 N2 和 N2P 生產(chǎn)節點(diǎn)，以及 1.4nm 級 A14 和 1nm 級 A10 制造工藝，預計將于 2030 年完成。 
▲ 圖源 Tom's Hardware 獲取到的臺積電 PPT 此外，臺積電預計封裝技術(shù)（CoWoS、InFO、SoIC 等）將不斷取得進(jìn)步，使其能夠在 2030 年左右構建封裝超過(guò) 1 萬(wàn)億個(gè)晶體管的大規模多芯片解決方案。 據IT之家此前報道，臺積電在會(huì )議上還透露，其 1.4nm 級工藝制程研發(fā)已經(jīng)全面展開(kāi)。同時(shí)，臺積電重申，2nm 級制程將按計劃于 2025 年開(kāi)始量產(chǎn)。 |
