大聯(lián)大旗下詮鼎推出基于英諾賽科（Innoscience）InnoGaN ISG3201和INN040LA015A器件的1KW DC/DC電源模塊方案。
圖示1-大聯(lián)大詮鼎基于Innoscience產(chǎn)品的1KW DC/DC電源模塊方案的展示板圖 隨著(zhù)“雙碳”概念的逐漸深入，智能化和低碳化已經(jīng)成為數據中心的兩大“確定性”發(fā)展趨勢。據知名機構Research調查顯示，現有的采用Si方案的數據中心整體功率轉換能效大約為75%，而采用GaN器件則可將能源效率提升到87.5%。其中，DC/DC 48V-12V環(huán)節在整個(gè)鏈路中扮演了重要角色。在這種背景下，大聯(lián)大詮鼎基于Innoscience InnoGaN ISG3201和INN040LA015A器件推出1KW DC/DC電源模塊方案，其利用氮化鎵寄生結電容小的特點(diǎn)，配合磁集成方案，將開(kāi)關(guān)頻率提升至1MHz，具有高效率和高功率密度特性。
圖示2-大聯(lián)大詮鼎基于Innoscience產(chǎn)品的1KW DC/DC電源模塊方案的場(chǎng)景應用圖 本方案采用全橋LLC DCX拓撲結構，固定變比為4：1，支持48V輸入轉12V輸出，集成Innoscience旗下兩顆100V InnoGaN ISG3201和八顆INN040LA015A低壓GaN芯片。ISG3201是一顆耐壓100V的半橋氮化鎵合封芯片，其通過(guò)內部集成驅動(dòng)器，優(yōu)化驅動(dòng)回路和功率回路，顯著(zhù)降低寄生電感和開(kāi)關(guān)尖峰，進(jìn)一步提高1KW 48電源模塊系統的整體性能和可靠性。不僅如此，該芯片還具有獨立的高側和低側PWM信號輸入，并支持TTL電平驅動(dòng)，可由專(zhuān)用控制器或通用MCU進(jìn)行驅動(dòng)控制，是數據中心模塊電源，電機驅動(dòng)以及D類(lèi)功率放大器等48V電源系統的最佳選擇。 INN040LA015A是一顆耐壓40V導阻1.5mΩ的增強型氮化鎵晶體管，其采用FCLGA 5*4封裝，體積小巧，同時(shí)具備極低柵極電荷和導通電阻，且反向恢復電荷為零，不僅可以降低占板面積，而且具有更高的開(kāi)關(guān)頻率，能夠為系統提供更高的動(dòng)態(tài)響應。
圖示3-大聯(lián)大詮鼎基于Innoscience產(chǎn)品的1KW DC/DC電源模塊方案的方塊圖 本方案能夠以39mm×26mm×7.5mm的尺寸為數據中心帶來(lái)高功率密度與低損耗的優(yōu)勢。在實(shí)際測試中，輸入電壓48V、輸出12V/30A時(shí)，峰值效率可達98%；輸入電壓48V、輸出12V/85A時(shí)，滿(mǎn)載效率可達96.29%。未來(lái)，隨著(zhù)數據中心向更高效與更智能的方向發(fā)展，氮化鎵也將成為重要綠色革命的關(guān)鍵角色，在這個(gè)進(jìn)程中，大聯(lián)大與Innoscience將持續研發(fā)以氮化鎵為核心的解決方案，為數字時(shí)代賦能。 核心技術(shù)優(yōu)勢： 高效率：98%@48V-12V/30A； 高頻率：1MHz； 高功率密度：2150W/in3； 超小體積：39mm×26mm×7.5mm。 方案規格： 尺寸：39mm×26mm×7.5mm； 效率： 峰值效率：98%@12V/30A； 滿(mǎn)載效率：96.29%@12V/85A； 功率密度：2150W/in3。 |
