臺積電回應1nm制程廠(chǎng)選址傳聞:不排除任何可能性

發(fā)布時(shí)間:2024-1-22 09:14    發(fā)布者:eechina
關(guān)鍵詞: 臺積電 , 1nm
來(lái)源:IT之家

中國臺灣《聯(lián)合報》稱(chēng):經(jīng)多方評比后,臺積電最終決定將最先進(jìn)的 1nm 制程代工廠(chǎng)選址定在嘉義科學(xué)園區,總投資額超萬(wàn)億新臺幣(IT之家備注:當前約 2290 億元人民幣)。

對于這一傳聞,臺積電表示,選擇設廠(chǎng)地點(diǎn)有諸多考量因素,臺積電以中國臺灣地區作為主要基地,不排除任何可能性,也持續與管理局合作評估合適的半導體建廠(chǎng)用地。

在上個(gè)月舉行的 IEDM 2023 會(huì )議上,臺積電制定了提供包含 1 萬(wàn)億個(gè)晶體管的芯片封裝路線(xiàn),這一計劃與英特爾去年透露的規劃類(lèi)似。

為了實(shí)現這一目標,該公司重申正在致力于 2nm 級 N2 和 N2P 生產(chǎn)節點(diǎn),以及 1.4nm 級 A14 和 1nm 級 A10 制造工藝,預計將于 2030 年完成。



此外,臺積電預計封裝技術(shù)(CoWoS、InFO、SoIC 等)將不斷取得進(jìn)步,使其能夠在 2030 年左右構建封裝超過(guò) 1 萬(wàn)億個(gè)晶體管的大規模多芯片解決方案。

據IT之家此前報道,臺積電在會(huì )議上還透露,其 1.4nm 級工藝制程研發(fā)已經(jīng)全面展開(kāi)。同時(shí),臺積電重申,2nm 級制程將按計劃于 2025 年開(kāi)始量產(chǎn)。

前段時(shí)間還有消息稱(chēng),臺積電計劃正在新竹科學(xué)園區和高雄楠梓園區內新建 5 座晶圓廠(chǎng),其中第一座目前已經(jīng)破土動(dòng)工,計劃 2025 年 1 月前搬入首部機臺;而臺積電園區在該園區的第 2 座晶圓廠(chǎng)有望近期動(dòng)工。
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