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來(lái)源：大半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng) 日前，意法半導體(ST)發(fā)布了一項基于 18 納米全耗盡絕緣體上硅(FD-SOI) 技術(shù)并整合嵌入式相變存儲器 (ePCM)的先進(jìn)制造工藝，支持下一代嵌入式處理器升級進(jìn)化。這項新工藝技術(shù)是意法半導體和三星晶圓代工廠(chǎng)共同開(kāi)發(fā)，使嵌入式處理應用的性能和功耗實(shí)現巨大飛躍，同時(shí)可以集成容量更大的存儲器和更多的模擬和數字外設�；谛录夹g(shù)的下一代STM32 微控制器的首款產(chǎn)品將于 2024下半年開(kāi)始向部分客戶(hù)提供樣片，2025 年下半年排產(chǎn)。 與目前在用的 ST 40nm 嵌入式非易失性存儲器 (eNVM) 技術(shù)相比，集成 ePCM 的18nm FD-SOI制造工藝極大地提高了關(guān)鍵的品質(zhì)因數： 性能功耗比提高 50% 以上 * 非易失性存儲器 (NVM)密度是現有技術(shù)的2.5 倍，可以在片上集成容量更大的存儲器 * 數字電路密度是現有技術(shù)的三倍，可以集成人工智能、圖形加速器等數字外設，以及最先進(jìn)的安全保護功能 * 噪聲系數改善 3dB，增強了無(wú)線(xiàn) MCU 的射頻性能 該技術(shù)的工作電源電壓是3V，可以給電源管理、復位系統、時(shí)鐘源和數字/模擬轉換器等模擬功能供電，ST稱(chēng)這是20 納米以下唯一支持此功能的半導體工藝技術(shù)。 該技術(shù)的耐高溫工作、輻射硬化和數據保存期限已經(jīng)過(guò)汽車(chē)市場(chǎng)的檢驗，能夠滿(mǎn)足工業(yè)應用對可靠性的嚴格要求。 |
