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來(lái)源：全球半導體觀(guān)察 國家知識產(chǎn)權局信息顯示，華為技術(shù)有限公司于4月9日申請公布一項名為“存儲器、電子設備”的專(zhuān)利，公布號為CN117858494A。 靜態(tài)隨機存儲器(SRAM)是一種基于觸發(fā)器邏輯電路的半導體存儲器。只要處于上電狀態(tài)，SRAM中寫(xiě)入的信息就不會(huì )消失，不需要刷新電路。傳統的硅(Si)基SRAM包括6個(gè)金屬氧化物半導體場(chǎng)效應品體管。 在計算機存儲體系結構中，SRAM的存儲速度較快，主要用于高速緩存，一般集成在中央處理器(CPU)中。隨著(zhù)計算機性能的不斷提升，SRAM作為數據交換的重要媒介，在CPU中所占的面積越來(lái)越大，導致功耗、性能、面積和成本發(fā)生嚴重的退化。 為此，學(xué)界和業(yè)界都提出利用3D堆疊的方式，在不斷改進(jìn)芯片工藝的同時(shí)，提高芯片的面積利用率。SRAM相對于其他邏輯計算單元，是一個(gè)相對獨立的模塊，利用后道工藝或疊層工藝更容易將SRAM與邏輯器件進(jìn)行3D集成。 然而，對于傳統的硅基SRAM來(lái)說(shuō)，采用BEOL工藝或看層工藝的實(shí)現3D集成的難度非常大，對工藝溫度的要求也很高。雖然，氧化物半導體具有可堆疊和低溫工藝的優(yōu)勢，但氧化物半導體為單極性溝道材料，應用于SRAM中，會(huì )使SRAM的電路設計更加復雜，導致SRAM內的器件(例如晶體管)以及器件間連接走線(xiàn)占用的面積隨之增大。 專(zhuān)利摘要顯示，華為本次申請實(shí)施例提供一種存儲器、電子設備，涉及存儲器技術(shù)領(lǐng)域，用于在實(shí)現單極性存儲器的同時(shí)，提高存儲器的面積利用率。該存儲器包括第一電路結構層、第二電路結構層和多個(gè)互連結構。 第一電路結構層包括第一反相器。第二電路結構層包括第二反相器。第一反相器的多個(gè)品體管和第二反相器的多個(gè)品體管極性相同。第反相器的多個(gè)品體管,及第二反相器的多個(gè)品體管均沿平行于參考面的第一方向依次排列。第一反相器的多個(gè)品體管在參考面上的正投影與第反相器的多個(gè)品體管在參考面上正投影交疊:且第一反相器和第二反相器通過(guò)多個(gè)互連結構電連接。上述存儲器應用于電子設備中，以提高電子設備的存儲能力。 |
