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SAMD21RT采用64引腳陶瓷和塑料封裝，基底面為10 mm × 10 mm 太空探索正迎來(lái)復蘇期，一系列令人興奮的新任務(wù)相繼展開(kāi)，如備受期待的Artemis II（阿爾忒彌斯二號計劃）、JAXA SLIM 和 Chandaaryan-3成功登月以及New Space在近地軌道 （LEO）進(jìn)行新部署。設計人員需要符合嚴格的輻射和可靠性標準的電子元件，以滿(mǎn)足在惡劣太空環(huán)境中工作的要求。Microchip Technology（微芯科技公司）宣布推出新款耐輻射32位單片機SAMD21RT。該產(chǎn)品基于耐輻射（RT）Arm Cortex-M0+技術(shù)，采用64引腳陶瓷和塑料封裝，具備128 KB閃存和16 KB SRAM。 
SAMD21RT專(zhuān)為對尺寸和重量要求極高的空間受限應用而設計，基底面積僅為10 mm × 10 mm。SAMD21RT運行頻率高達48 MHz，可為惡劣環(huán)境提供高性能處理能力。該器件集成了模擬功能，包括多達20路通道的模數轉換器 （ADC）、數模轉換器 （DAC） 和模擬比較器。 SAMD21RT器件基于Microchip廣泛應用于工業(yè)和汽車(chē)市場(chǎng)的現有SAMD21 MCU 系列。該器件還采用商用現貨（COTS）技術(shù)，在過(guò)渡到耐輻射器件時(shí)，由于設計保持引腳兼容，可大大簡(jiǎn)化設計過(guò)程。Microchip 為空間應用提供了全面的系統解決方案，可圍繞 SAMD21RT 單片機設計多種器件，包括 FPGA、電源和分立器件、存儲器產(chǎn)品、通信接口以及各種規格的振蕩器。 為了承受包括輻射和極端溫度在內的惡劣環(huán)境，SAMD21RT可在−40°C至125°C的溫度范圍內工作，并具有高水平的輻射耐受性，總電離劑量（TID）能力高達50 krad，單次事件閂鎖 （SEL）抗擾度高達 78 MeV.cm2/mg。 Microchip負責航空航天與防御業(yè)務(wù)部的副總裁Bob Vampola表示：“與我們合作的優(yōu)勢在于，我們擁有相應的歷史、知識和能力，可在公司內部完成耐輻射器件的設計和測試。我們將繼續引入以太網(wǎng)、人工智能和機器學(xué)習等在商業(yè)和工業(yè)市場(chǎng)發(fā)展起來(lái)的新技術(shù)，并利用輻射性能對其進(jìn)行改進(jìn)，以滿(mǎn)足太空任務(wù)的需求。我們還將繼續提供更高的計算性能，并將更新的技術(shù)集成到更小的封裝中，減輕重量和尺寸�！� SAMD21RT 功耗低，具有空閑和待機休眠模式以及sleepwalking外設等功能。其他外設包括一個(gè)12通道直接存儲器訪(fǎng)問(wèn)控制器 （DMAC）、一個(gè) 12 通道事件系統、各種控制定時(shí)器/計數器 （TCC）、一個(gè)32位實(shí)時(shí)計數器 （RTC）、一個(gè)看門(mén)狗定時(shí)器 （WDT） 和一個(gè) USB 2.0 接口。通信選項包括串行通信 （SERCOM）、I2C、SPI 和 LIN。 Microchip擁有數以萬(wàn)計的在軌部件，一直是太空探索歷史的重要組成部分，對今天和未來(lái)的太空任務(wù)至關(guān)重要。作為Artemis計劃的一部分，Microchip 的產(chǎn)品正在飛往月球的途中，并為太空發(fā)射系統、獵戶(hù)座飛船、月球門(mén)戶(hù)空間站、月球著(zhù)陸器和下一代宇航服的成功研制貢獻力量。如需進(jìn)一步了解 Microchip 的太空業(yè)務(wù)史，請訪(fǎng)問(wèn)Microchip公司官網(wǎng)的太空應用頁(yè)面。 開(kāi)發(fā)工具 SAMD21RT 32 位 MCU 由 SAM D21 Curiosity Nano 評估工具包、MPLAB X 集成開(kāi)發(fā)環(huán)境（IDE）和MPLAB PICkit™ 5 在線(xiàn)調試器/編程器提供支持。 供貨與定價(jià) SAMD21RT 32 位 MCU 可應要求提供少量樣品。如需了解更多信息，請聯(lián)系 Microchip銷(xiāo)售代表。 |
