【MOSFET 晶體管】IPDQ60R075CFD7 / IPDQ60R025CFD7，IAUA250N04S6N005，ISC030N12NM6（供求）

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明佳達電子（星際金華）長(cháng)期供應及回收原裝庫存器件：【MOSFET 晶體管】IPDQ60R075CFD7 / IPDQ60R025CFD7，IAUA250N04S6N005，ISC030N12NM6，有興趣的朋友，歡迎隨時(shí)聯(lián)絡(luò )我們！


IPDQ60R075CFD7 / IPDQ60R025CFD7：600V 增強型 CoolMOS™ CFD7 MOSFET 晶體管
描述：IPDQ60R075CFD7 / IPDQ60R025CFD7 是 600V 高壓 CoolMOS™ CFD7 MOSFET 晶體管，集成了快速體二極管，完善了 CoolMOS™ 7 系列。
型號：IPDQ60R075CFD7 / IPDQ60R025CFD7
封裝：PG-HDSOP-22
類(lèi)型：MOSFET 晶體管
產(chǎn)品特性：
超快體二極管
同類(lèi)最佳的反向恢復電荷 (Qrr)
改進(jìn)的反向二極管 dv/dt 和 dif/dt 強度
最低 FOM RDS(on)x Qg 和 Eoss
同類(lèi)最佳的 RDS(on)/ 封裝組合


IAUA250N04S6N005：OptiMOS™ 6 汽車(chē)功率 MOSFET 晶體管
型號：IAUA250N04S6N005
封裝：PG-HSOF-5-5
類(lèi)型：MOSFET 晶體管
一、產(chǎn)品屬性：
FET 類(lèi)型：N 通道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：40 V
25°C 時(shí)電流 - 連續漏極 (Id)：62A（Ta）
驅動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：7V，10V
功率耗散（最大值）：250W（Tc）
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類(lèi)型：表面貼裝型
二、產(chǎn)品特征：
OptiMOS™ 功率 MOSFET
N 溝道 MOSFET
增強模式 - 正常電平
超出 AEC-Q101 的擴展鑒定
增強型電氣測試
MSL3 峰值回流溫度高達 260°C
175°C 工作溫度
100% 通過(guò)雪崩測試


ISC030N12NM6：120V OptiMOS™ 6 功率 MOSFET 晶體管
一、描述：
ISC030N12NM6 是一款正常級 120V OptiMOS™ 6 功率 MOSFET 晶體管，采用 SuperSO8 封裝，導通電阻為 3.04 mOhm。
二、產(chǎn)品屬性：
FET 類(lèi)型：N 通道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：120 V
25°C 時(shí)電流 - 連續漏極 (Id)：21A（Ta），194A（Tc）
驅動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：8V，10V
功率耗散（最大值）：3W（Ta），250W（Tc）
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類(lèi)型：表面貼裝型
三、產(chǎn)品特征：
N 通道、正常電平
極低的導通電阻 RDS(on)
出色的柵極電荷 x RDS（導通）乘積（FOM）
極低的反向恢復電荷（Qrr）
雪崩能量等級高
175°C 工作溫度


深圳市明佳達電子，星際金華長(cháng)期（供應及回收）原裝庫存器件：【MOSFET 晶體管】IPDQ60R075CFD7 / IPDQ60R025CFD7，IAUA250N04S6N005，ISC030N12NM6。
【長(cháng)期供應】只做原裝，庫存器件，價(jià)格方面由于浮動(dòng)不一，請以當天詢(xún)問(wèn)為準！
【長(cháng)期回收】只需原裝庫存器件，須有原廠(chǎng)外包裝標簽，有庫存的朋友，歡迎隨時(shí)聯(lián)絡(luò )我們！