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來(lái)源：EXPreview 按照臺積電（TSMC）的安排，將在2nm制程節點(diǎn)將首度使用Gate-all-around FETs（GAAFET）晶體管，同時(shí)制造過(guò)程仍依賴(lài)于極紫外（EUV）光刻技術(shù)，計劃2025年進(jìn)入大批量生產(chǎn)階段，客戶(hù)在2026年就能收到首批采用N2工藝制造的芯片。 據Trendforce報道，有報告顯示，臺積電正在積極安裝對于先進(jìn)工藝至關(guān)重要的EUV光刻機，以應付2nm工藝的量產(chǎn)，今年和明年將接收超過(guò)60臺EUV光刻機，投入的資金額超過(guò)4000億新臺幣（約合123億美元/人民幣894億元）。 隨著(zhù)ASML不斷擴大產(chǎn)能，預計2025年EUV光刻機的交付量將增長(cháng)30%以上，臺積電也會(huì )因此受益。去年ASML為了響應客戶(hù)的需求計劃增產(chǎn)，明年的EUV光刻機交付量會(huì )有明顯增長(cháng)，預計今年為53臺，明年增至72臺以上。據了解，ASML在2025年的目標產(chǎn)能為90臺EUV光刻機、600臺DUV光刻機、以及20臺High-NA EUV光刻機。 EUV光刻機的供應一直很緊張，交貨時(shí)間在16至20個(gè)月之間，2024年的訂單大部分要到2025年才能交付。傳聞臺積電2024年訂購了30臺EUV光刻機，2025年為35臺。不過(guò)由于臺積電可能會(huì )對資本支出計劃進(jìn)行調整，這些數字最終會(huì )略有變化。此外，臺積電有望在今年某個(gè)時(shí)候接受到最新的High-NA EUV光刻機。 |
