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OVP過(guò)壓保護芯片 OVP過(guò)壓保護IC：為了保護后級電路，平芯微早早推出了系列OVP過(guò)壓保護芯片產(chǎn)品，很多客戶(hù)對于OVP過(guò)壓保護芯片的功能和使用仍然存在一些誤解。這次我們平芯微就針對OVP過(guò)壓保護芯片功能使用做詳細的描述和介紹。 首先我們需要先看下芯片規格書(shū)的描述（如下圖），有一定了解后，我們再往下給大家講解。 
下圖是我們手繪的輸入電壓VIN和輸出電壓VOUT和過(guò)壓閾值OVP三者的關(guān)系和芯片內部框圖。
當輸入電壓VIN是5V時(shí)，輸出電壓VOUT也是5V； 當輸入電壓VIN是9V時(shí)，輸出電壓VOUT也是0V； 當輸入電壓從5V提高到9V時(shí)，電壓在uS時(shí)間下看是斜坡形上升的（需用示波器查看），由于OVP過(guò)壓保護芯片的目的是保護后級電路的安全，不受高壓的危險，導致?lián)p壞后級電路，所以要求OVP過(guò)壓保護芯片需要要過(guò)快的響應時(shí)間，平芯微的以下4款OVP過(guò)壓保護產(chǎn)品，都具有極快的OVP響應時(shí)間0.05uS，在OVP閾值達到時(shí)，快速關(guān)閉芯片內置MOS，使得無(wú)輸出電壓，保護后級電路。 PW2605 (輸入耐壓36V，SOT23-3封裝，OVP閾值6.1V，1A電流，內阻350mΩ)； PW2606B(輸入耐壓40V，SOT23-6封裝，OVP閾值6.1V，1A電流，內阻350mΩ)； PW2606(輸入耐壓40V，SOT23-6封裝，OVP閾值6.1V，2A電流，內阻100mΩ)； PW2609A(輸入耐壓40V，SOT23-6封裝，OVP閾值可調，3A電流，內阻35mΩ)； OVP過(guò)壓保護芯片選型時(shí)的其他主要參數： 1，內置MOS的內阻阻抗 [ 電壓壓差 ] 根據歐姆定律：R（內阻） x I（電流）=V（壓差），內阻越高時(shí)，輸入電壓和輸出電壓的壓差也越高。 [ 芯片溫度 ] 內阻越高時(shí)，芯片發(fā)熱量也提高。 [ 電流大小 ] 內阻越低時(shí)，可以通過(guò)更高的電流，如PW2609A可做3A應用，PW2606是2A，PW2606B/PW2605是1A，須知大部分OVP過(guò)壓保護芯片無(wú)限流功能，如需再增加限流功能，除了成本增加外，電路也增加，平芯微也有系列帶OVP過(guò)壓保護和可調限流功能的系列產(chǎn)品，如：PW1515，PW1555，PW1558。 2，輸入端耐壓 由于電源的特性，輸入上電瞬間會(huì )產(chǎn)生尖峰電壓，所以需要芯片輸入端有足夠的耐壓。 PW2605/PW2606B.PW2606/PW2609A輸入耐壓都在40V左右，可以抗住12V的輸入尖峰測試， 當輸入20V尖峰測試時(shí)，在輸入端加個(gè)電解電容做吸收，使得尖峰電壓在30V以下，遠低于我們芯片耐壓，保證安全性。 如：面對后級電路的耐壓是15V時(shí)，如果電路中因為高度限制沒(méi)加電解電容時(shí)，輸入12V時(shí)，由于電源的特性輸入上電瞬間，會(huì )產(chǎn)生尖峰電壓，瞬間的尖峰電壓可能會(huì )達到16V,18V等等，超過(guò)耐壓15V，造成損壞。也可以加PW2609A起到過(guò)壓保護作用。 如：快充充電器，市面上快充充電器產(chǎn)品質(zhì)量的參差不齊，也需要平芯微的過(guò)壓保護芯片提高安全性和質(zhì)量可靠性。 如：TWS耳機，電子煙這種靠近人頭部使用產(chǎn)品，更需要平芯微的過(guò)壓保護芯片提高安全性和質(zhì)量可靠性。 在過(guò)壓保護芯片產(chǎn)品使用中，很多使用在鋰電池充電芯片前面做保護左右，為了節省PCB設計和成本。平芯微也有多款集成了OVP過(guò)壓保護的鋰電池充電芯片： PW4056HH，SOP8封裝4056腳位，雙LED燈，1A充電，OVP閾值6.8V，輸入耐壓28V； PW4057H， SOT23-6封裝4057腳位，雙LED燈，0.8A充電，OVP閾值6.8V，輸入耐壓28V； PW4054H， SOT23-5封裝4054腳位，單LED燈，0.5A充電，OVP閾值6.8V，輸入耐壓28V。 在面對鋰電池放電時(shí)，如遇到大功率放電突然斷開(kāi)時(shí)，也會(huì )產(chǎn)生異常尖峰高壓，平芯微針對以上三款新品，對于BAT電池端引腳耐壓從普遍6V設計，提高了3倍以上，采用了20V耐壓，提高質(zhì)量可靠性。 其他相關(guān)鋰電池充電芯片可參考下圖。
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